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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS870-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS870-7-F 系列 BS870
  • PDF BS870-7-F.pdf
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DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2053UVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.6A；3.2A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5；74mΩ@3.5A,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2053UVT-7 系列 DMC2053UVT
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
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DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2088LCP3-7
  • 封装规格X2-DSN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 2.9A 功率(Pd) 1.13W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 88mΩ@8V,500mA 封装 X2-DSN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2088LCP3-7 系列 DMP2088LCP3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
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DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4466SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 1.42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 23mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4466SSS-13 系列 DMG4466SSS
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
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DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6008LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 13A；60A 功率(Pd) 2.2W；41W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6008LFG-7 系列 DMT6008LFG
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
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DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2123L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 72mΩ@4.5V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2123L-7 系列 DMP2123L
  • PDF DMP2123L-7.pdf
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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC21D1UDA-7B
  • 封装规格DFN-6(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 328mA；455mA 功率(Pd) 300mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 990mΩ@100mA,4.5；1.9Ω@100mA,4.5V 封装 DFN-6(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC21D1UDA-7B 系列 DMC21D1UDA
  • PDF DMC21D1UDA-7B.pdf
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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,115mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LDW-7 系列 DMN65D8LDW
  • PDF DMN65D8LDW-7.pdf
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DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN4800LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 9A 功率(Pd) 1.46W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN4800LSS-13 系列 DMN4800LSS
  • PDF DMN4800LSS-13.pdf
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DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3007SCG-7
  • 封装规格V-DFN3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 2.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.8mΩ@10V,11.5A 封装 V-DFN3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3007SCG-7 系列 DMP3007SCG
  • PDF DMP3007SCG-7.pdf
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