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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0U-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 380mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0U-13 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP21D5UFB4-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 700mA 功率(Pd) 460mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 970mΩ@5V,100mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP21D5UFB4-7B 系列 DMP21D5UFB4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
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DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3200U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.2A 功率(Pd) 650mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,2.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3200U-7 系列 DMN3200U
  • PDF DMN3200U-7.pdf
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BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138-13-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138-13-F 系列 BSS138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
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ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4525E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4525E6TA 系列 ZVN4525E6TA
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
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DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN60H080DS-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 80mA 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100Ω@60mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN60H080DS-7 系列 DMN60H080DS
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
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DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6016LFDF-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 8.9A 功率(Pd) 820mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,10A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6016LFDF-7 系列 DMT6016LFDF
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
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ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A17E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.3A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.3A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A17E6TA 系列 ZXMP6A17E6TA
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
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DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6185SEQ-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6185SEQ-13 系列 DMP6185SEQ
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
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DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3010LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 36A 功率(Pd) 2.18W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,10A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3010LPSQ-13 系列 DMP3010LPSQ
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
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