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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
ZVN2106A

ZVN2106A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN2106A
  • 封装规格TO-92
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 450mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,1A 封装 TO-92 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN2106A 系列 ZVN2106A
  • PDF ZVN2106A.pdf
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DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN32D2LFB4-7
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.2Ω@4V,100mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN32D2LFB4-7 系列 DMN32D2LFB4
  • PDF DMN32D2LFB4-7.pdf
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DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG7401SFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 9.8A 功率(Pd) 940mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@20V,12A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG7401SFG-7 系列 DMG7401SFG
  • PDF DMG7401SFG-7.pdf
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DMN2041L-7

DMN2041L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2041L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 6.4A 功率(Pd) 780mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2041L-7 系列 DMN2041L
  • PDF DMN2041L-7.pdf
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ZVP4525ZTA

ZVP4525ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP4525ZTA
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 205mA 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-89 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP4525ZTA 系列 ZVP4525ZTA
  • PDF ZVP4525ZTA.pdf
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DMG1016V-7

DMG1016V-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1016V-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 870mA；640mA 功率(Pd) 530mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1016V-7 系列 DMG1016V
  • PDF DMG1016V-7.pdf
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DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2305UXQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2305UXQ-7 系列 DMG2305UXQ
  • PDF DMG2305UXQ-7.pdf
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DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2066LSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@4.5V,4.6A 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2066LSN-7 系列 DMP2066LSN
  • PDF DMP2066LSN-7.pdf
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DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMNH6042SSDQ-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 16.7A 功率(Pd) 2.1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,5.1A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMNH6042SSDQ-13 系列 DMNH6042SSDQ
  • PDF DMNH6042SSDQ-13.pdf
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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601DWK-7
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 305mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601DWK-7 系列 DMN601DWK
  • PDF DMN601DWK-7.pdf
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