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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3032LFDB-7
  • 封装规格DMN3032LFDB-7
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A 封装 DMN3032LFDB-7 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3032LFDB-7 系列 DMN3032LFDB
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
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ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A08E6TA
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,4.8A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A08E6TA 系列 ZXMN6A08E6TA
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
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DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH4013SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 55A 功率(Pd) 2.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 15mΩ@10A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH4013SK3-13 系列 DMPH4013SK3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5.2A 功率(Pd) 2W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48mΩ@5A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SSDQ-13 系列 DMPH6050SSDQ
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
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DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2053U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2053U-7 系列 DMN2053U
  • PDF DMN2053U-7.pdf
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ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4206A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 600mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4206A 系列 ZVN4206A
  • PDF ZVN4206A.pdf
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DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004WKQ-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004WKQ-7 系列 DMN2004WKQ
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP45H150DHE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 450V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 13.9W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150Ω@50mA,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP45H150DHE-13 系列 DMP45H150DHE
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
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ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A11ZTA
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A11ZTA 系列 ZXMN6A11ZTA
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@100uA 电流 360mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,270mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LW-7 系列 DMN53D0LW
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
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DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2024U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@6.5A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2024U-7 系列 DMN2024U
  • PDF DMN2024U-7.pdf
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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H700S-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 700mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 700mΩ@1.5A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H700S-7 系列 DMN10H700S
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
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DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6250SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.1A 功率(Pd) 1.8W；14W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,1A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6250SE-13 系列 DMP6250SE
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
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DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT10H015LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@250uA 电流 8.3A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,20A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT10H015LSS-13 系列 DMT10H015LSS
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
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DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 5.3A 功率(Pd) 2.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,5.3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LSS-13 系列 DMP3098LSS
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
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DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3731UFB4-7B
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 520mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3731UFB4-7B 系列 DMN3731UFB4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
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DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH4007LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 15.5A；100A 功率(Pd) 150W；2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH4007LPSQ-13 系列 DMTH4007LPSQ
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
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DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0LFD-7
  • 封装规格X1-DFN1212-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 310mA 功率(Pd) 480mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA 封装 X1-DFN1212-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0LFD-7 系列 DMN62D0LFD
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
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DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH8012LPSQ-13
  • 封装规格TDFN-8-Power
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 72A；10A 功率(Pd) 136W；2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@12A,10V 封装 TDFN-8-Power 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH8012LPSQ-13 系列 DMTH8012LPSQ
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
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DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3021LSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 8.5A；7A 功率(Pd) 2.5W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21mΩ@7A,10V 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3021LSD-13 系列 DMC3021LSD
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