关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 品牌 > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号VN10LFTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 150mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) VN10LFTA 系列 VN10LFTA
  • PDF VN10LFTA.pdf
在线咨询
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN10A08GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN10A08GTA 系列 ZXMN10A08GTA
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
在线咨询
DMP32D4S-13

DMP32D4S-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP32D4S-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 370mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.4Ω@10V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP32D4S-13 系列 DMP32D4S
  • PDF DMP32D4S-13.pdf
在线咨询
DMP2305UQ-7

DMP2305UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2305UQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@4.2A,4.5V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2305UQ-7 系列 DMP2305UQ
  • PDF DMP2305UQ-7.pdf
在线咨询
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMC10A816N8TC
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 230mΩ@10V,1A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMC10A816N8TC 系列 ZXMC10A816N8TC
  • PDF ZXMC10A816N8TC.pdf
在线咨询
DMN6075SQ-7

DMN6075SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6075SQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@3.2A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6075SQ-7 系列 DMN6075SQ
  • PDF DMN6075SQ-7.pdf
在线咨询
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6005LPS-13
  • 封装规格DFN-8(5.1x6)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 100A 功率(Pd) 2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.5mΩ @ VGS = 4.5V 封装 DFN-8(5.1x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6005LPS-13 系列 DMT6005LPS
  • PDF DMT6005LPS-13.pdf
在线咨询
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN7A11GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 70V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@10V,4.4A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN7A11GTA 系列 ZXMN7A11GTA
  • PDF ZXMN7A11GTA.pdf
在线咨询
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004DMK-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 225mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004DMK-7 系列 DMN2004DMK
  • PDF DMN2004DMK-7.pdf
在线咨询
DMP31D7L-13

DMP31D7L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D7L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.6V@250uA 电流 580mA 功率(Pd) 430mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D7L-13 系列 DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-13.pdf
在线咨询
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN3A01FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.8A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN3A01FTA 系列 ZXMN3A01FTA
  • PDF ZXMN3A01FTA.pdf
在线咨询
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3018SSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述生产商 DIODES(美台)产品分类 场效应管(MOSFET)系列 DMN3018SSD安装类型 SMT封装/外壳 SOIC-8阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA电流 6.7A功率(Pd) 1.5W耐压 30V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A沟道 2个N
  • PDF DMN3018SSD-13.pdf
在线咨询
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC4035LSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.5A；3.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V；65mΩ@4.2A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC4035LSDQ-13 系列 DMHC4035LSDQ
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
在线咨询
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6005LK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd) 2.1W；100W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.6mΩ@10V,50A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6005LK3Q-13 系列 DMTH6005LK3Q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
在线咨询
DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3028LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6.6A；6.8A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@6A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3028LSD-13 系列 DMC3028LSD
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
在线咨询
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4496SSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 1.42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21.5mΩ@10V,10A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4496SSS-13 系列 DMG4496SSS
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
在线咨询
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT69M8LFV-7
  • 封装规格PDFN-8(3.3x3.3)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 36A;45A 功率(Pd) 2.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9.5mΩ @ VGS = 10V 13.3mΩ @ VGS = 4.5V 封装 PDFN-8(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT69M8LFV-7 系列 DMT69M8LFV
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
在线咨询
BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138DWQ-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@220mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138DWQ-7 系列 BSS138DWQ
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
在线咨询
DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3085LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@5.3A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3085LSS-13 系列 DMP3085LSS
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
在线咨询
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SEQ-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.3A；6A 功率(Pd) 2W；13.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@5A,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SEQ-13 系列 DMP10H400SEQ
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
在线咨询
共528记录«上一页1... 1415161718192021...27下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号