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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP3306FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 90mA 功率(Pd) 330mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP3306FTA 系列 ZVP3306FTA
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
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DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,7A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LSD-13 系列 DMP3028LSD
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
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DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3016lSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,12A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3016lSS-13 系列 DMN3016lSS
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
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DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3414UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 780mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3414UQ-7 系列 DMG3414UQ
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
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DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3404LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@5.8A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3404LQ-7 系列 DMN3404LQ
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
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DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LFDE-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LFDE-7 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
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DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1009UFDF-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 15A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@4.5V,5A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1009UFDF-7 系列 DMP1009UFDF
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
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DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6009LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 11A；34A 功率(Pd) 2.08W；19.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@10V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6009LFG-7 系列 DMT6009LFG
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT10H010LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 68.8A 功率(Pd) 3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.8mΩ@10V,13A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT10H010LK3-13 系列 DMT10H010LK3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
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DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6350SQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@900mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6350SQ-7 系列 DMP6350SQ
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
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DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2104LP-7
  • 封装规格X1-DFN1411-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 500mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,900mA 封装 X1-DFN1411-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2104LP-7 系列 DMP2104LP
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
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DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D1SFB-7B
  • 封装规格X1-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA 电流 410mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.4Ω@40mA,10V 封装 X1-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D1SFB-7B 系列 DMN62D1SFB
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
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ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A17GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,2.4A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A17GTA 系列 ZXMP10A17GTA
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
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DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC4040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC4040SSD-13 系列 DMC4040SSD
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
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ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4424GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述生产商 DIODES(美台)产品分类 场效应管(MOSFET)系列 ZVN4424GTA安装类型 SMT封装/外壳 SOT-223阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA电流 500mA功率(Pd) 2.5W耐压 240V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.5Ω@10V,500mA沟道 N
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2990UFA-7B
  • 封装规格XFDFN-3(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 510mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA 封装 XFDFN-3(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2990UFA-7B 系列 DMN2990UFA
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
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DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004VK-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 530mA 功率(Pd) 400mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004VK-7 系列 DMP2004VK
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
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DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2130L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 51mΩ@4.5V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2130L-7 系列 DMP2130L
  • PDF DMP2130L-7.pdf
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DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6010LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 13A；30A 功率(Pd) 2.2W；41W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6010LFG-7 系列 DMT6010LFG
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DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3130L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 77mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3130L-7 系列 DMP3130L
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