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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6110SFDF-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.97W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5A,10V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6110SFDF-7 系列 DMP6110SFDF
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
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ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61P02FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 600mΩ@4.5V,610mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61P02FTA 系列 ZXM61P02FTA
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
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ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP3A16GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.4A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP3A16GTA 系列 ZXMP3A16GTA
  • PDF ZXMP3A16GTA.pdf
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DMP2215L-7

DMP2215L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2215L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.7A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2215L-7 系列 DMP2215L
  • PDF DMP2215L-7.pdf
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DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6402LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.75W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,7A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6402LVT-7 系列 DMG6402LVT
  • PDF DMG6402LVT-7.pdf
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DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4822SSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 1.42W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,8.5A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4822SSD-13 系列 DMG4822SSD
  • PDF DMG4822SSD-13.pdf
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DMN6040SK3-13

DMN6040SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 20A 功率(Pd) 42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@10V,20A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SK3-13 系列 DMN6040SK3
  • PDF DMN6040SK3-13.pdf
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DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SVT-7 系列 DMN6040SVT
  • PDF DMN6040SVT-7.pdf
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DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2990UDJ-7
  • 封装规格SOT-963
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 450mA 功率(Pd) 350mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA 封装 SOT-963 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2990UDJ-7 系列 DMN2990UDJ
  • PDF DMN2990UDJ-7.pdf
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DMP4015SSSQ-13

DMP4015SSSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4015SSSQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.1A 功率(Pd) 1.45W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@9.8A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4015SSSQ-13 系列 DMP4015SSSQ
  • PDF DMP4015SSSQ-13.pdf
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ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN10A07ZTA
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A 封装 SOT-89 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN10A07ZTA 系列 ZXMN10A07ZTA
  • PDF ZXMN10A07ZTA.pdf
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DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT3020LFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6B
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 700mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT3020LFDB-7 系列 DMT3020LFDB
  • PDF DMT3020LFDB-7.pdf
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DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC1229UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6B
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.6A；3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,5A；37mΩ@4.5V,3.6A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC1229UFDB-7 系列 DMC1229UFDB
  • PDF DMC1229UFDB-7.pdf
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DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6968UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6968UQ-7 系列 DMG6968UQ
  • PDF DMG6968UQ-7.pdf
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DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1045UFY4-7
  • 封装规格X2-DFN2015-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A 封装 X2-DFN2015-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1045UFY4-7 系列 DMP1045UFY4
  • PDF DMP1045UFY4-7.pdf
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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1016UDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.07A；845mA 功率(Pd) 330mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1016UDW-7 系列 DMG1016UDW
  • PDF DMG1016UDW-7.pdf
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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3025LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.5A；4.2A 功率(Pd) 1.2W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@7.4A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3025LSD-13 系列 DMC3025LSD
  • PDF DMC3025LSD-13.pdf
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DMN3731U-7

DMN3731U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3731U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3731U-7 系列 DMN3731U
  • PDF DMN3731U-7.pdf
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DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6968UDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 850mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6968UDM-7 系列 DMG6968UDM
  • PDF DMG6968UDM-7.pdf
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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH43M8LPSQ-13
  • 封装规格Power-DI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 22A；100A 功率(Pd) 2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.3mΩ@20A,10V 封装 Power-DI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH43M8LPSQ-13 系列 DMTH43M8LPSQ
  • PDF DMTH43M8LPSQ-13.pdf
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