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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
ZVP2110A

ZVP2110A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP2110A
  • 封装规格TO-92L-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@10V,375mA 封装 TO-92L-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP2110A 系列 ZVP2110A
  • PDF ZVP2110A.pdf
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DMN601DMK-7

DMN601DMK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601DMK-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 510mA 功率(Pd) 700mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.4Ω@10V,200mA 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601DMK-7 系列 DMN601DMK
  • PDF DMN601DMK-7.pdf
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DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0L-13
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 310mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@300mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0L-13 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-13.pdf
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ZVN3310A

ZVN3310A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3310A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 200mA 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@500mA,10V 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3310A 系列 ZVN3310A
  • PDF ZVN3310A.pdf
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DMN2300U-7

DMN2300U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2300U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.24A 功率(Pd) 430mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2300U-7 系列 DMN2300U
  • PDF DMN2300U-7.pdf
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BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84DWQ-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@5V,1mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84DWQ-7 系列 BSS84DWQ
  • PDF BSS84DWQ-7.pdf
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DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3730UFB4-7
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 750mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@4.5V,200mA 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3730UFB4-7 系列 DMN3730UFB4
  • PDF DMN3730UFB4-7.pdf
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DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 6.9A 功率(Pd) 2.5W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LSD-13 系列 DMP3056LSD
  • PDF DMP3056LSD-13.pdf
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DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG9926UDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 980mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG9926UDM-7 系列 DMG9926UDM
  • PDF DMG9926UDM-7.pdf
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DMP2045UFY4-7

DMP2045UFY4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2045UFY4-7
  • 封装规格X2-DFN2015-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 670mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@4A,4.5V 封装 X2-DFN2015-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2045UFY4-7 系列 DMP2045UFY4
  • PDF DMP2045UFY4-7.pdf
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DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 360mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LDW-7 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-7.pdf
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DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1013UWQ-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 820mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1013UWQ-7 系列 DMG1013UWQ
  • PDF DMG1013UWQ-7.pdf
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DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1029UFDB-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.6A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@5A,4.5V 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1029UFDB-7 系列 DMN1029UFDB
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
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ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN4A06GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN4A06GTA 系列 ZXMN4A06GTA
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
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DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP26M7UFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 18A；40A 功率(Pd) 2.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,15A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP26M7UFG-7 系列 DMP26M7UFG
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002DWQ-7-F
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002DWQ-7-F 系列 2N7002DWQ
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
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DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3406L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 770mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3406L-7 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-7.pdf
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DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH4008LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 14.4A；64.8A 功率(Pd) 2.99W；55.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.8mΩ@10A,10V 封装 PowerDI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH4008LPSQ-13 系列 DMTH4008LPSQ
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
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DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 7.1A 功率(Pd) 2.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LSS-13 系列 DMP3056LSS
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DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2005UFG-13
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 18.1A 功率(Pd) 1.05W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.6mΩ@4.5V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2005UFG-13 系列 DMN2005UFG
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