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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMC2041UFDB-7

DMC2041UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2041UFDB-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4.7A；3.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@4.2A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2041UFDB-7 系列 DMC2041UFDB
  • PDF DMC2041UFDB-7.pdf
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ZVP2106GTA

ZVP2106GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP2106GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 450mA 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP2106GTA 系列 ZVP2106GTA
  • PDF ZVP2106GTA.pdf
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DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6898LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 9.5A 功率(Pd) 1.28W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@9.4A,4.5V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6898LSD-13 系列 DMG6898LSD
  • PDF DMG6898LSD-13.pdf
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DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC67D8UFDBQ-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V；20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA；2.5V@250uA 电流 390mA；2.9A 功率(Pd) 580mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@500mA,10V；72mΩ@3.5A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC67D8UFDBQ-7 系列 DMC67D8UFDBQ
  • PDF DMC67D8UFDBQ-7.pdf
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DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3028LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 860mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3028LQ-7 系列 DMN3028LQ
  • PDF DMN3028LQ-7.pdf
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DMP2240UW-7

DMP2240UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2240UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 250mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2240UW-7 系列 DMP2240UW
  • PDF DMP2240UW-7.pdf
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DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LW-7 系列 DMN65D8LW
  • PDF DMN65D8LW-7.pdf
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BS107P

BS107P-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS107P
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 120mA 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30Ω@5V,100mA 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS107P 系列 BS107P
  • PDF BS107P.pdf
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DMN100-7-F

DMN100-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN100-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 1.1A 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 240mΩ@10V,1A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN100-7-F 系列 DMN100
  • PDF DMN100-7-F.pdf
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DMP2100U-7

DMP2100U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2100U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@10V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2100U-7 系列 DMP2100U
  • PDF DMP2100U-7.pdf
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DMC2020USD-13

DMC2020USD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2020USD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 7.8A；6.3A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@7A,4.5V 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2020USD-13 系列 DMC2020USD
  • PDF DMC2020USD-13.pdf
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ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A18KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 2.15W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,3.5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A18KTC 系列 ZXMP6A18KTC
  • PDF ZXMP6A18KTC.pdf
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DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3033LSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,6A 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3033LSN-7 系列 DMN3033LSN
  • PDF DMN3033LSN-7.pdf
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DMC3730UFL3-7

DMC3730UFL3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3730UFL3-7
  • 封装规格X2-DFN1310-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.1A；700mA 功率(Pd) 390mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 X2-DFN1310-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3730UFL3-7 系列 DMC3730UFL3
  • PDF DMC3730UFL3-7.pdf
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ZVN4310GTA

ZVN4310GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4310GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 1.67A 功率(Pd) 3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 540mΩ@10V,3.3A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4310GTA 系列 ZVN4310GTA
  • PDF ZVN4310GTA.pdf
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DMN601VK-7

DMN601VK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601VK-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 305mA 功率(Pd) 250mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601VK-7 系列 DMN601VK
  • PDF DMN601VK-7.pdf
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DMN2075U-7

DMN2075U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2075U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2075U-7 系列 DMN2075U
  • PDF DMN2075U-7.pdf
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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN26D0UDJ-7
  • 封装规格SOT-963-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.05V@250uA 电流 240mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装 SOT-963-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN26D0UDJ-7 系列 DMN26D0UDJ
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DMP2130LDM-7

DMP2130LDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2130LDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3.4A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,4.5A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2130LDM-7 系列 DMP2130LDM
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DMP2225L-7

DMP2225L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2225L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 2.6A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2225L-7 系列 DMP2225L
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