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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMP3085LSD-13

DMP3085LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3085LSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.9A 功率(Pd) 1.1W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,5.3A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3085LSD-13 系列 DMP3085LSD
  • PDF DMP3085LSD-13.pdf
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DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3032LFDBQ-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@5.8A,10V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3032LFDBQ-7 系列 DMN3032LFDBQ
  • PDF DMN3032LFDBQ-7.pdf
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DMP3098LSD-13

DMP3098LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 4.4A 功率(Pd) 1.8W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@5A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LSD-13 系列 DMP3098LSD
  • PDF DMP3098LSD-13.pdf
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DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3016LFDE-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 730mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3016LFDE-7 系列 DMN3016LFDE
  • PDF DMN3016LFDE-7.pdf
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DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3135LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 840mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.1A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3135LVT-7 系列 DMN3135LVT
  • PDF DMN3135LVT-7.pdf
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DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6010LPDQ-13
  • 封装规格TDFN-8-Power
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 13.1A；47.6A 功率(Pd) 2.8W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@20A,10V 封装 TDFN-8-Power 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6010LPDQ-13 系列 DMTH6010LPDQ
  • PDF DMTH6010LPDQ-13.pdf
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DMN2310U-7

DMN2310U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2310U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 480mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@300mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2310U-7 系列 DMN2310U
  • PDF DMN2310U-7.pdf
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DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3020UFDF-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 15A 功率(Pd) 2.03W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 19mΩ@4.5A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3020UFDF-7 系列 DMN3020UFDF
  • PDF DMN3020UFDF-7.pdf
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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3018SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 7.3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3018SSS-13 系列 DMN3018SSS
  • PDF DMN3018SSS-13.pdf
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ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP3A13FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 210mΩ@10V,1.4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP3A13FTA 系列 ZXMP3A13FTA
  • PDF ZXMP3A13FTA.pdf
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BSS84Q-7-F

BSS84Q-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84Q-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@10V,12.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84Q-7-F 系列 BSS84Q
  • PDF BSS84Q-7-F.pdf
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DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG7430LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 10.5A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG7430LFG-7 系列 DMG7430LFG
  • PDF DMG7430LFG-7.pdf
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ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A18KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 2.17W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.8A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A18KTC 系列 ZXMP10A18KTC
  • PDF ZXMP10A18KTC.pdf
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DMN3051L-7

DMN3051L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3051L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3051L-7 系列 DMN3051L
  • PDF DMN3051L-7.pdf
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DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3009LFVW-7
  • 封装规格PDFN-8(3.1x3.1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,30A 封装 PDFN-8(3.1x3.1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3009LFVW-7 系列 DMN3009LFVW
  • PDF DMN3009LFVW-7.pdf
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ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMS6004FFQTA
  • 封装规格SOT-23F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60 V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 1.3 A 功率(Pd) 1.5 W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 500 mOhms 封装 SOT-23F 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMS6004FFQTA 系列 ZXMS6004FFQTA
  • PDF ZXMS6004FFQTA.pdf
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DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1045UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 31mΩ@4A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1045UQ-7 系列 DMP1045UQ
  • PDF DMP1045UQ-7.pdf
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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC1030UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6D
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.1A；3.9A 功率(Pd) 1.36W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,4.6A；37mΩ@4.5V,3.6A 封装 U-DFN2020-6D 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC1030UFDB-7 系列 DMC1030UFDB
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DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3400SDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 650mA；450mA 功率(Pd) 310mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@590mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3400SDW-7 系列 DMC3400SDW
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DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2700UDM-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.34A；1.14A 功率(Pd) 1.12W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2700UDM-7 系列 DMC2700UDM
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