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DIODES(美台)

DIODES(美台)

VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloVN10LFTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Resistencia a la conducción n del canal de 330mw (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 500ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie vn10lfta
  • PDF VN10LFTA.pdf
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ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN10A08GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 2w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, encapsulada en 3.2a Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn10a08gta serie zxmn10a08gta
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
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DMP32D4S-13

DMP32D4S-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP32D4S-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Corriente 300ma Potencia (pd) 370mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2,4 Omega @ 10v, 300ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp32d4s - 13 serie dmp32d4s
  • PDF DMP32D4S-13.pdf
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DMP2305UQ-7

DMP2305UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2305UQ-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 60mwh @ 4,2a, encapsulado por Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp2305uq - 7 serie dmp2305uq
  • PDF DMP2305UQ-7.pdf
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ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMC10A816N8TC
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Corriente 2a Potencia (pd) Canal 1,8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 230mwh @ 10v, 1a encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmc10a816n8tc serie zxmc10a816n8tc
  • PDF ZXMC10A816N8TC.pdf
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DMN6075SQ-7

DMN6075SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6075SQ-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 85mwh @ 3.2a, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6075sq - 7 serie dmn6075sq
  • PDF DMN6075SQ-7.pdf
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DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6005LPS-13
  • PaqueteDFN-8(5.1x6)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 100a Potencia (pd) 2,6w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6,5 m @ vgs = 4,5v encapsulado dfn - 8 (5,1x6) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmt6005lps - 13 serie dmt6005lps
  • PDF DMT6005LPS-13.pdf
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ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN7A11GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 70v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) Canal 2w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 130 MWH @ 10v, 4.4a encapsulado Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn7a11gta serie zxmn7a11gta
  • PDF ZXMN7A11GTA.pdf
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DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2004DMK-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 540ma Potencia (pd) Canal 225mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 550momega @ 540ma, 4.5v encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2004dmk - 7 serie dmn2004dmk
  • PDF DMN2004DMK-7.pdf
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DMP31D7L-13

DMP31D7L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP31D7L-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.6V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 430mw (rds (on) @ vgs, id) de 580ma de Potencia (pd) 900mwh encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp31d7l - 13 serie dmp31d7l
  • PDF DMP31D7L-13.pdf
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ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN3A01FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.8a Potencia (pd) 625mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 120mwh @ 10v, 2.5a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn3a01fta serie zxmn3a01fta
  • PDF ZXMN3A01FTA.pdf
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DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3018SSD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónFabricante diodes (meitai) clasificación de productos tubo de efecto de campo (mosfet) serie dmn3018 SSD tipo de instalación SMT encapsulamiento / carcasa soic - 8 tensión umbral (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 6.7a Potencia (pd) 1.5w resistencia a la presión 30v resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 22mwh @ 10v, canal 10a 2 n
  • PDF DMN3018SSD-13.pdf
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DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMHC4035LSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 4.5a; 3.7a Potencia (pd) Canal de 1.5w 2 n y 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 3.9a, 10v; 65momega @ 4.2a, 10v encapsulado so - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmhc4035lsdq - 13 serie dmhc4035lsdq
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
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DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6005LK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 90a Potencia (pd) 2,1w; Resistencia de conducción n del canal de 100W (rds (on) @ vgs, id) 5,6mwh @ 10v, 50a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth6005lk3q - 13 serie dmth6005lk3q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
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DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3028LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 6.6a; 6.8a Potencia (pd) Canal 1.8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 6a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc3028lsd - 13 serie dmc3028lsd
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
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DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4496SSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 10a de Potencia (pd) 1,42w (rds (on) @ vgs, id) 21,5 MWH @ 10v, 10a encapsulada so - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg4496sss - 13 serie dmg4496sss
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
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DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT69M8LFV-7
  • PaquetePDFN-8(3.3x3.3)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión de 60v (vgs (th) @ id) - corriente 36a; Resistencia de conducción n del canal de 2,2w de potencia 45a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 9,5 m @ vgs = 10v 13,3 m @ vgs = 4,5v encapsulado pdfn - 8 (3.3x3.3) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmt69m8lfv - 7 serie dmt69m8lfv
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
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BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138DWQ-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 200ma Potencia (pd) 200MW canal 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 220ma, 10v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss138dwq - 7 serie bss138dwq
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
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DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3085LSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,3w (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 5,3a, embalaje de 10v so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3085lss - 13 serie dmp3085lss
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
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DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SEQ-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.3a; 6a Potencia (pd) 2w; Resistencia de conducción P del canal de 13.7w (rds (on) @ vgs, id) 250m Omega @ 5a, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400seq - 13 serie dmp10h400seq
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
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Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.