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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6110SFDF-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1.97w (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 4.5a, encapsulada en 10v dfn2020 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6110sfdf - 7 serie dmp6110sfdf
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
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ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61P02FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 900ma Potencia (pd) 625mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 600mwh @ 4,5v, 610ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61p02fta serie zxm61p02fta
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
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ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP3A16GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 5.4a (pd) 45mwh @ 10v, encapsulada en 4.2a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp3a16gta serie zxmp3a16gta
  • PDF ZXMP3A16GTA.pdf
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DMP2215L-7

DMP2215L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2215L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) 1.08w resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 100mwh @ 4.5v, 2.7a encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2215l - 7 serie dmp2215l
  • PDF DMP2215L-7.pdf
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DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6402LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 6a Power (pd) 1.75w (rds (on) @ vgs, id) 30mwh @ 10v, 7a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg6402lvt - 7 serie dmg6402lvt
  • PDF DMG6402LVT-7.pdf
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DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4822SSD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 10a Potencia (pd) Canal 1.42w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 20momega @ 10v, 8.5a encapsulamiento de tubos de efecto de campo soic - 8 (mosfet) marca diodes (midea) dmg4822ssd - 13 serie dmg4822ssd
  • PDF DMG4822SSD-13.pdf
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DMN6040SK3-13

DMN6040SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 20a Potencia (pd) 42w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, 20a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040sk3 - 13 serie dmn6040sk3
  • PDF DMN6040SK3-13.pdf
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DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal 5a de Potencia (pd) 1,2w de corriente (rds (on) @ vgs, id) 44mwh @ 10v, encapsulada en 4.3a con tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040svt - 7 serie dmn6040svt
  • PDF DMN6040SVT-7.pdf
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DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2990UDJ-7
  • PaqueteSOT-963
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 450ma Potencia (pd) Canal de 350 MW 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 990mohm @ 4,5v, 100ma encapsulado Sot - 963 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmn2990udj - 7 serie dmn2990udj
  • PDF DMN2990UDJ-7.pdf
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DMP4015SSSQ-13

DMP4015SSSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4015SSSQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 9.1A Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 145w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 9.8a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015sssq - 13 serie dmp4015sssq
  • PDF DMP4015SSSQ-13.pdf
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ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN10A07ZTA
  • PaqueteSOT-89
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 1,5w de corriente 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 10v, encapsulada en 1,5a con tubo de efecto de campo Sot - 89 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn10a07zta serie zxmn10a07zta
  • PDF ZXMN10A07ZTA.pdf
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DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT3020LFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6B
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 7.7a Potencia (pd) 700mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 20mwh @ 10v, 9a encapsulado u - dfn2020 - 6B Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmt3020lfdb - 7 serie dmt3020lfdb
  • PDF DMT3020LFDB-7.pdf
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DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC1229UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6B
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 5.6a; 3.8a Potencia (pd) 1,4w canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 4,5v, 5a; 37momega @ 4.5v, 3.6a encapsulado u - dfn2020 - 6B Field Efect Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) dmc1229 ufdb - 7 Series dmc1229 ufdb
  • PDF DMC1229UFDB-7.pdf
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DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6968UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 6.5a Potencia (pd) resistencia de conducción n del Canal 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 4.5v, 6.5a encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg6968uq - 7 serie dmg6968uq
  • PDF DMG6968UQ-7.pdf
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DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP1045UFY4-7
  • PaqueteX2-DFN2015-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 700mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 5.5a (pd) 32mwh @ 4.5v, 4a encapsulada X2 - dfn2015 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp1045ufy4 - 7 serie dmp1045ufy4
  • PDF DMP1045UFY4-7.pdf
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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1016UDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.07a; Canal de Potencia 845ma (pd) 330mw 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 450mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1016udw - 7 serie dmg1016udw
  • PDF DMG1016UDW-7.pdf
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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3025LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6.5a; 4.2a Potencia (pd) Canal 1.2w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 20mwh @ 7.4a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc3025lsd - 13 serie dmc3025lsd
  • PDF DMC3025LSD-13.pdf
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DMN3731U-7

DMN3731U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3731U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 400 MW de corriente 900 ma de Potencia (pd) (rds (on) @ vgs, id) 460mohm @ 200ma, embalaje de 4.5v Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3731u - 7 serie dmn3731u
  • PDF DMN3731U-7.pdf
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DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6968UDM-7
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 6.5a Potencia (pd) 850mw canal 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 24mwh @ 4.5v, 6.5a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg6968udm - 7 serie dmg6968udm
  • PDF DMG6968UDM-7.pdf
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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH43M8LPSQ-13
  • PaquetePower-DI-5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 22a; Resistencia de conducción n del canal de 100a de Potencia (pd) 2,7w (rds (on) @ vgs, id) 3,3mwh @ 20a, 10v encapsulado Power - di - 5060 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth43m8lpsq - 13 serie dmth43m8lpsq
  • PDF DMTH43M8LPSQ-13.pdf
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