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DIODES(美台)

DIODES(美台)

ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVP3306FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@1mA Corriente 90ma Potencia (pd) 330mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 14 Omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zvp3306fta serie zvp3306fta
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
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DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3028LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 6a Potencia (pd) Canal de 1,3w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 7a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3028lsd - 13 serie dmp3028lsd
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
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DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3016lSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.3a Potencia (pd) 1.5w @ 10v, paquete 12a so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lss - 13 serie dmn3016lss
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
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DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3414UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 4.5v, 8.2a encapsulando el tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3414uq - 7 serie dmg3414uq
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
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DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3404LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) 720mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 28momega @ 5.8a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3404lq - 7 serie dmn3404lq
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
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DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3028LFDE-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Corriente 6.8a Potencia (pd) 660mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 32mwh @ 10v, 7a encapsulado udfn2020 - 6 - EP Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3028lfde - 7 serie dmp3028lfde
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
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DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP1009UFDF-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 15a @ 4,5v, 5a encapsulada udfn2020 - 6 - EP Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp1009 ufdf - 7 serie dmp1009 ufdf
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
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DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6009LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 11a; 34a Potencia (pd) 2.08w; Resistencia de conducción n del Canal 19.2w (rds (on) @ vgs, id) 10mwh @ 10v, 13.5a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6009lfg - 7 serie dmt6009lfg
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT10H010LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal 3W (rds (on) @ vgs, id) de corriente 68,8a (pd) 8,8mwh @ 10v, 13a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmt10h010lk3 - 13 serie dmt10h010lk3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
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DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6350SQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.5a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 350 MWH @ 900ma, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6350sq - 7 serie dmp6350sq
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
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DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2104LP-7
  • PaqueteX1-DFN1411-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 500mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.5a (pd) 150 MWH @ 4.5v, 900ma encapsulado X1 - dfn1411 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2104lp - 7 serie dmp2104lp
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
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DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D1SFB-7B
  • PaqueteX1-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.3V@250uA Corriente 410ma Potencia (pd) 470mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,4 Omega @ 40ma, embalaje de 10v X1 - dfn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmn62d1sfb - 7b serie dmn62d1sfb
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
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ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP10A17GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.7a (pd) 350mohm @ 10v, embalaje Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a17gta serie zxmp10a17gta
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
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DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC4040SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Corriente 6.8a Potencia (pd) Canal 1.8w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 3a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc40ssd - 13 serie dmc4040ssd
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
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ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4424GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónFabricante diodes (meitai) clasificación de productos tubo de efecto de campo (mosfet) serie zvn4424gta tipo de instalación SMT encapsulamiento / carcasa Sot - 223 tensión umbral (vgs (th) @ id) 1.8V@1mA Corriente 500ma Potencia (pd) 2,5w resistencia a la presión 240v resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 5,5 Omega @ 10v, Canal 500ma n
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2990UFA-7B
  • PaqueteXFDFN-3(0.6x0.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 510ma Potencia (pd) 400mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 990momega @ 4,5v, 100ma encapsulado xfdfn - 3 (0,6x0,8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (estados unidos) dmn2990ufa - 7b serie dmn2990ufa
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
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DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2004VK-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 530ma Potencia (pd) 400mw canal 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 4,5v, 430ma encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004vk - 7 serie dmp2004vk
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
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DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2130L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 51mwh @ 4,5v, 3.5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2130l - 7 serie dmp2130l
  • PDF DMP2130L-7.pdf
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DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6010LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 13a; 30a Potencia (pd) 2,2w; Resistencia de conducción n del Canal 41w (rds (on) @ vgs, id) 7,5 MWH @ 10v, 20a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6010lfg - 7 serie dmt6010lfg
  • PDF DMT6010LFG-7.pdf
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DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3130L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 77mwh @ 10v, 4.2a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3130l - 7 serie dmp3130l
  • PDF DMP3130L-7.pdf
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Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.