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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3032LFDB-7
  • PaqueteDMN3032LFDB-7
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6.2a Potencia (pd) Canal 1w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 30mwh @ 10v, 5.8a encapsulado dmn3032lfdb - 7 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3032lfdb - 7 serie dmn3032lfdb - 7 dmn30lfdb
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
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ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN6A08E6TA
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) Canal de 1.1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 80momega @ 10v, 4.8a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a08e6ta serie zxmn6a08e6ta
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
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DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH4013SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 55a (pd) 2,1w (rds (on) @ vgs, id) 15mwh @ 10a, embalaje de 10v to - 252 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph4013sk3 - 13 serie dmph4013sk3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6050SSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5.2a Potencia (pd) Canal 2w 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 48mwh @ 5a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6050ssdq - 13 serie dmph6050ssdq
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
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DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2053U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 29mwh @ 10v, 6a encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2053u - 7 serie dmn2053u
  • PDF DMN2053U-7.pdf
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ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4206A
  • PaqueteTO-92-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Resistencia de conducción n del canal de 700mw (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, encapsulada en 1.5a con tubo de efecto de campo to - 92 - 3 (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4206a serie zvn4206a
  • PDF ZVN4206A.pdf
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DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2004WKQ-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200 MW de corriente 540ma (pd) resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 550momega @ 540ma, embalaje de 4,5v Sot - 323 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2004wkq - 7 serie dmn2004wkq
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP45H150DHE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 450v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 250ma (pd) 13,9w (rds (on) @ vgs, id) 150 Omega @ 50ma, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp45h150dhe - 13 serie dmp45h150dhe
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
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ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN6A11ZTA
  • PaqueteSOT-89-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) Canal de 1.5w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 120momega @ 10v, 2.5a encapsulamiento Sot - 89 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a11zta serie zxmn6a11zta
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@100uA Corriente 360 ma Potencia (pd) 320mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v, 270ma encapsulado Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0lw - 7 serie dmn53d0lw
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
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DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2024U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.8a @ 6.5a, encapsulada por 4.5v Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2024u - 7 Series dmn2024u
  • PDF DMN2024U-7.pdf
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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN10H700S-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 400 MW de corriente 700ma (pd) (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 1,5a, 10v encapsulada Sot - 23 - 3 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h700s - 7 serie dmn10h700s
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
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DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6250SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.1a Potencia (pd) 1,8w; Resistencia de conducción P del canal de 14w (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, 1a encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6250se - 13 serie dmp6250se
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
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DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT10H015LSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 8.3a Potencia (pd) 1,2w @ 10v, 20a encapsulada so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmt10h015lss - 13 serie dmt10h015lss
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
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DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3098LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 5.3a Potencia (pd) 2.5w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 10v, 5.3a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3098lss - 13 serie dmp3098lss
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
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DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3731UFB4-7B
  • PaqueteX2-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 520mw (rds (on) @ vgs, id) 460mohm @ 200ma, encapsulamiento X2 - dfn1006 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3731ufb4 - 7b serie dmn3731ufb4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
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DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH4007LPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 15,5a; 100a Potencia (pd) 150w; Resistencia de conducción n del canal de 2.7w (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 4v, 100ma encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth4007lpsq - 13 serie dmth4007lpsq
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
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DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0LFD-7
  • PaqueteX1-DFN1212-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 310ma Potencia (pd) 480mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 4v, 100ma encapsulado X1 - dfn1212 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0lfd - 7 serie dmn62d0lfd
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
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DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH8012LPSQ-13
  • PaqueteTDFN-8-Power
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 72a; 10a Potencia (pd) 136w; Resistencia de conducción n del Canal 2.6w (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 12a, encapsulada en 10v tdfn - 8 - power Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8012lpsq - 13 serie dmth8012lpsq
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
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DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3021LSD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 8.5a; 7A Power (pd) 2.5w Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 21mwh @ 7a, 10v encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmc3021lsd - 13 serie dmc3021lsd
  • PDF DMC3021LSD-13.pdf
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