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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP31D7L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.6V@250uA Corriente 580ma Potencia (pd) 430mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 420ma, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp31d7l - 7 serie dmp31d7l
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6023LFG-13
  • PaquetePowerDI-3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.7a (pd) 25mwh @ 5a, encapsulada en 10v con tubo de efecto de campo powerdi - 3333 - 8 (mosfet) marca diodes (midea) dmp6023lfg - 13 serie dmp6023lfg
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2160UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6B
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) Canal 1.4w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 4.5v, 2.8a encapsulado u - dfn2020 - 6B Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2160ufdb - 7 serie dmp2160ufdb
  • PDF DMP2160UFDB-7.pdf
DMC2450UV-7

DMC2450UV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2450UV-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 103a; 700ma Power (pd) 450mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 480mohm @ 200ma, 5v encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2450uv - 7 serie dmc2450uv
  • PDF DMC2450UV-7.pdf
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2002UPS-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 60a Potencia (pd) 2,3w canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,9mwh @ 10v, 25a encapsulado powerdi5060 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2002ups - 13 serie dmp2002ups
  • PDF DMP2002UPS-13.pdf
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A13GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.7a Potencia (pd) Canal 2w resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 390mohm @ 900ma, 10v encapsulado Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a13gta serie zxmp6a13gta
  • PDF ZXMP6A13GTA.pdf
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6050SPD-13
  • PaquetePowerDI-8(5x6)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión - 60v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente - 26a - 23a Power (pd) 1.5w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 48m  @ vgs = - 10v 60m  @ vgs = - 4.5v encapsulado powerdi - 8 (5x6) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmph6050spd - 13 serie dmph6050spd
  • PDF DMPH6050SPD-13.pdf
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN7022LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 75v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.8a (pd) 22mwh @ 10v, encapsulada en 7.2a powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn7022lfg - 7 serie dmn7022lfg
  • PDF DMN7022LFG-7.pdf
ZVNL120A

ZVNL120A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVNL120A
  • PaqueteTO-92-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@1mA Corriente 180ma Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10omega @ 5v, 250ma encapsulado to - 92 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvnl120a serie zvnl120a
  • PDF ZVNL120A.pdf
DMG9926USD-13

DMG9926USD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG9926USD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 8a Potencia (pd) Canal de 1,3w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 24mwh @ 4,5v, 8,2a encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg9926usd - 13 serie dmg9926usd
  • PDF DMG9926USD-13.pdf
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8LFB-7B
  • PaqueteX1-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 260ma Potencia (pd) 430mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, 115ma encapsulado X1 - dfn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8lfb - 7b serie dmn65d8lfb
  • PDF DMN65D8LFB-7B.pdf
DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3071LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 3.3a; 4.6a Potencia (pd) 700mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 3.5a, 10v; 95momega @ 3.8a, 10v encapsulado Sot - 26 Field Efect Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) dmc3071lvt - 7 serie dmc3071lvt
  • PDF DMC3071LVT-7.pdf
DMN6040SE-13

DMN6040SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal 5a de Potencia (pd) 1,2w (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 12a, embalaje de 10v Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmn6040se - 13 serie dmn6040se
  • PDF DMN6040SE-13.pdf
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMC3A16DN8TA
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 4.9a; 4.1A Potencia (pd) Canal de 1.25w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 9a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) zxmc3a16dn8ta serie zxmc3a16dn8ta
  • PDF ZXMC3A16DN8TA.pdf
DMP3130LQ-7

DMP3130LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3130LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 77mwh @ 4.2a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3130lq - 7 serie dmp3130lq
  • PDF DMP3130LQ-7.pdf
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN61D9UWQ-7
  • PaqueteSOD-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 400ma Potencia (pd) 440mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 50ma, 5v encapsulado SOD - 323 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn61d9uwq - 7 serie dmn61d9uwq
  • PDF DMN61D9UWQ-7.pdf
2N7002VC-7

2N7002VC-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002VC-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 280ma Potencia (pd) Canal de 150 MW 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 563 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002vc - 7 serie 2n7002vc
  • PDF 2N7002VC-7.pdf
DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2160UFDBQ-7
  • PaqueteDFN-6-EP(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónResistencia a la presión - tensión umbral de 20v (vgs (th) @ id) - corriente - 3,8a - 3,3a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 70m @ vgs = - 4,5v 85m @ vgs = - 2,5v encapsulado dfn - 6 - EP (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2160ufdbq - 7 serie dmp2160ufdbq
  • PDF DMP2160UFDBQ-7.pdf
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SVTQ-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal 5a de Potencia (pd) 1,2w de corriente (rds (on) @ vgs, id) 44mwh @ 10v, encapsulada en 4.3a con tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040svtq - 7 serie dmn6040svtq
  • PDF DMN6040SVTQ-7.pdf
DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2008UFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 14a; 54a Potencia (pd) 2,4w; Resistencia de conducción P del Canal 41w (rds (on) @ vgs, id) 8mwh @ 4.5v, 12a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2008 UFG - 7 serie dmp2008 UFG
  • PDF DMP2008UFG-7.pdf
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.