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DIODES(美台)

DIODES(美台)

ZVP2110A

ZVP2110A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVP2110A
  • PaqueteTO-92L-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@1mA Corriente 230ma Potencia (pd) 700mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 8omega @ 10v, 375ma encapsulado to - 92l - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvp2110a serie zvp2110a
  • PDF ZVP2110A.pdf
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DMN601DMK-7

DMN601DMK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN601DMK-7
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Corriente 510ma Potencia (pd) 700mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2,4 Omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn601dmk - 7 serie dmn601dmk
  • PDF DMN601DMK-7.pdf
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DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN30H4D0L-13
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 300v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 4 Omega @ 300ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30h4d0l - 13 serie dmn30h4d0l
  • PDF DMN30H4D0L-13.pdf
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ZVN3310A

ZVN3310A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN3310A
  • PaqueteTO-92-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@1mA Resistencia de conducción n del canal de 625 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente de 200 ma (pd) 10 Omega @ 500ma, embalaje de 10 V to - 92 - 3 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) serie zvn3310a zvn3310a
  • PDF ZVN3310A.pdf
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DMN2300U-7

DMN2300U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2300U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 1.24a Potencia (pd) 430mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 4.5v, 300ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2300u - 7 serie dmn2300u
  • PDF DMN2300U-7.pdf
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BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84DWQ-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 5v, 1ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84dwq - 7 serie bss84dwq
  • PDF BSS84DWQ-7.pdf
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DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3730UFB4-7
  • PaqueteX2-DFN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 750ma Potencia (pd) 470mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 460mohm @ 4,5v, 200ma encapsulado X2 - dfn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3730ufb4 - 7 serie dmn3730ufb4
  • PDF DMN3730UFB4-7.pdf
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DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3056LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 6.9a Potencia (pd) 2.5w canal 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 10v, 6a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3056lsd - 13 serie dmp3056lsd
  • PDF DMP3056LSD-13.pdf
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DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG9926UDM-7
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 4.2a Potencia (pd) 980mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 4.5v, 8.2a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg9926udm - 7 serie dmg9926udm
  • PDF DMG9926UDM-7.pdf
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DMP2045UFY4-7

DMP2045UFY4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2045UFY4-7
  • PaqueteX2-DFN2015-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 4.7a Potencia (pd) 670mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 4a, 4.5v encapsulado X2 - dfn2015 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2045ufy4 - 7 serie dmp2045ufy4
  • PDF DMP2045UFY4-7.pdf
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DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 360ma Potencia (pd) Canal 310mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0ldw - 7 serie dmn53d0ldw
  • PDF DMN53D0LDW-7.pdf
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DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1013UWQ-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 750mwh @ 4,5v, 430ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1013 uwq - 7 serie dmg1013 uwq
  • PDF DMG1013UWQ-7.pdf
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DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1029UFDB-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 5.6a Potencia (pd) Canal 1.4w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 29mwh @ 5a, 4.5v encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn1029ufdb - 7 serie dmn1029ufdb
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
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ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN4A06GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal 5a de Potencia (pd) 2w (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, encapsulada en 4.5a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn4a06gta serie zxmn4a06gta
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
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DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP26M7UFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 18a; Resistencia de conducción P del canal de 40a Power (pd) 2.3w (rds (on) @ vgs, id) 6.7mwh @ 4.5v, 15a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp26m7ufg - 7 serie dmp26m7ufg
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002DWQ-7-F
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 230ma Potencia (pd) Canal 310mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002dwq - 7 - F serie 2n7002dwq
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
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DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3406L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 3.6a Potencia (pd) 770mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 3.6a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3406l - 7 serie dmg3406l
  • PDF DMG3406L-7.pdf
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DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH4008LPSQ-13
  • PaquetePowerDI-5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 14.4a; 64.8a Potencia (pd) 2.99w; Resistencia de conducción n del Canal 55.5w (rds (on) @ vgs, id) 8.8mwh @ 10a, encapsulada en 10v powerdi - 5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth4008lpsq - 13 serie dmth4008lpsq
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
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DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3056LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 7.1a Potencia (pd) 2.5w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 10v, 6a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3056lss - 13 serie dmp3056lss
  • PDF DMP3056LSS-13.pdf
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DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2005UFG-13
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 18.1a Potencia (pd) 1.05w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 4.6mwh @ 4.5v, 13.5a encapsulado powerdi333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmn2005ufg - 13 serie dmn2005ufg
  • PDF DMN2005UFG-13.pdf
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Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.