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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH10H1M7STLW-13
  • PaquetePowerDI1012-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 250a Potencia (pd) 6w; Resistencia de conducción n del canal de 250W (rds (on) @ vgs, id) 2momega encapsulada powerdi1012 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth10h1m7stlw - 13 serie dmth10h1m7stlw
  • PDF DMTH10H1M7STLW-13.pdf
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DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT3020LSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 16a Potencia (pd) Canal 1w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 20momega @ 9a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmt3020lsdq - 13 serie dmt3020lsdq
  • PDF DMT3020LSDQ-13.pdf
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DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2004DWK-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 540ma Potencia (pd) Canal de 200MW 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 550mohm @ 4,5v, 540ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmn2004dwk - 7 serie dmn2004dwk
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
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DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0UDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 350 ma Potencia (pd) 320mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 100ma, 4.5v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0udw - 7 serie dmn62d0udw
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
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DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SSDQ-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5a Potencia (pd) Canal 1.3w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, 4.5a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040ssdq - 13 serie dmn6040ssdq
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
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2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002AQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 180ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 115ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) 2n702aq - 7 serie 2n702aq
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
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ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61N03F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 1.4a Potencia (pd) 625mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 220momega encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61n03f serie zxm61n03f
  • PDF ZXM61N03F.pdf
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DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2053UVTQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 4.6a; 3.2a Potencia (pd) 700mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 5a, 4.5v; 74momega @ 3.5a, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field Efect Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2053uvtq - 7 serie dmc2053uvtq
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN61D8LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 470ma Potencia (pd) 390mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,8omega @ 150ma, 5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn61d8lq - 7 serie dmn61d8lq
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS127SSN-7
  • PaqueteSC-59
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4.5V@250uA Corriente 70ma Potencia (pd) 610mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 80 Omega @ 10v, 16mA encapsulado SC - 59 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss127ssn - 7 serie bss127ssn
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
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DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3007SCGQ-7
  • PaqueteV-DFN3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w de corriente 50a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 6,8mwh @ 11,5a, embalaje de 10v v v - dfn3333 - 8 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3007scgq - 7 serie dmp3007scgq
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
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DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2004WK-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 250mw (rds (on) @ vgs, id) de 400 ma de corriente (pd) 900mwh @ 430ma, embalaje de 4.5v Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004wk - 7 Series dmp2004wk
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
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DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3050LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 4.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1,8w (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 4.5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (midea) dmp3050lvt - 7 serie dmp30vt
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
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DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2075UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) 700mw canal 2 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 75mwh @ 2.9a, 4.5v encapsulado u - dfn2020 - 6 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2075ufdb - 7 serie dmp2075ufdb
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
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DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6023SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 35a (pd) 3,2w (rds (on) @ vgs, id) 33momega @ 10a, embalaje de 10v to - 252 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6023sk3q - 13 serie dmph6023sk3q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
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DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH8012LPSW-13
  • PaqueteDFN-8(4.9x5.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 53.7a Potencia (pd) Canal de 3.1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 10v, 12a encapsulado dfn - 8 (4.9x5.8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8012lpsw - 13 serie dmth8012lpsw
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2016UTS-13
  • PaqueteTSSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 8.58a Potencia (pd) 880mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 14.5mohm @ 4.5v, 9.4a encapsulado tssop - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmn2016uts - 13 serie dmn2016uts
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
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DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2070UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) 830mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 44mwh @ 2a, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2070uq - 7 serie dmp2070uq
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
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DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP31D0U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Corriente 530ma Potencia (pd) 450mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 400ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp31d0u - 7 serie dmp31d0u
  • PDF DMP31D0U-7.pdf
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ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP3A17E6TA
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 10v, 3.2a encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp3a17e6ta serie zxmp3a17e6ta
  • PDF ZXMP3A17E6TA.pdf
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