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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP3085LSD-13

DMP3085LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3085LSD-13
  • PaqueteSOIC-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3.9a Potencia (pd) Canal 1.1w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 70mwh @ 10v, 5.3a encapsulado soic - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3085lsd - 13 serie dmp3085lsd
  • PDF DMP3085LSD-13.pdf
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DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3032LFDBQ-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6.2a Potencia (pd) Canal 1w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 30mwh @ 5.8a, 10v encapsulado dfn2020 - 6 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3032lfdbq - 7 serie dmn3032lfdbq
  • PDF DMN3032LFDBQ-7.pdf
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DMP3098LSD-13

DMP3098LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3098LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 4.4a Potencia (pd) Canal 1.8w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 5a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3098lsd - 13 serie dmp3098lsd
  • PDF DMP3098LSD-13.pdf
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DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3016LFDE-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 730mw de corriente 10a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 10v, 11a encapsulada udfn2020 - 6 - EP Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lfde - 7 serie dmn3016lfde
  • PDF DMN3016LFDE-7.pdf
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DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3135LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) Canal de 840mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 60mwh @ 10v, 3.1a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3135lvt - 7 serie dmn3135lvt
  • PDF DMN3135LVT-7.pdf
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DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6010LPDQ-13
  • PaqueteTDFN-8-Power
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 13.1a; 47.6a Potencia (pd) 2.8w canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 20a, 10v encapsulado tdfn - 8 - power Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmth6010lpdq - 13 serie dmth6010lpdq
  • PDF DMTH6010LPDQ-13.pdf
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DMN2310U-7

DMN2310U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2310U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 480mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 300ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2310u - 7 serie dmn2310u
  • PDF DMN2310U-7.pdf
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DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3020UFDF-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 15a Potencia (pd) 2.03w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 19 MWH @ 4.5a, 4.5v encapsulado dfn2020 - 6 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30202ufdf - 7 serie dmn3020ufdf
  • PDF DMN3020UFDF-7.pdf
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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3018SSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.3a Potencia (pd) 1.4w @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3018 SSS - 13 serie dmn3018 sss
  • PDF DMN3018SSS-13.pdf
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ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP3A13FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) 625 MW canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 210mwh @ 10v, 1.4a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp3a13fta serie zxmp3a13fta
  • PDF ZXMP3A13FTA.pdf
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BSS84Q-7-F

BSS84Q-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84Q-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 10v, 12.6a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84q - 7 - F serie bss84q
  • PDF BSS84Q-7-F.pdf
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DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG7430LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.5a (pd) de 11 MWH @ 10v, encapsulada en 20a con tubo de efecto de campo powerdi333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg7430lfg - 7 serie dmg7430lfg
  • PDF DMG7430LFG-7.pdf
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ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP10A18KTC
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) 2.17w canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 150 MWH @ 10v, 2.8a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a18ktc serie zxmp10ktc
  • PDF ZXMP10A18KTC.pdf
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DMN3051L-7

DMN3051L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3051L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 5.8a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 38mwh @ 10v, 5.8a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3051l - 7 serie dmn3051l
  • PDF DMN3051L-7.pdf
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DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3009LFVW-7
  • PaquetePDFN-8(3.1x3.1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 60a Potencia (pd) Canal 1w resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 30a encapsulado pdfn - 8 (3.1x3.1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3009lfvw - 7 serie dmn3009lfvw
  • PDF DMN3009LFVW-7.pdf
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ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMS6004FFQTA
  • PaqueteSOT-23F
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60 V resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 1.3 a Potencia (pd) resistencia de conducción n del canal de 1,5 W (rds (on) @ vgs, id) 500 mahms encapsulan el tubo de efecto de campo Sot - 23F (mosfet) marca diodes (midea) zxms6004ffqta serie zxms6004ffqta
  • PDF ZXMS6004FFQTA.pdf
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DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP1045UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 31mwh @ 4a, 4.5v encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp1045uq - 7 serie dmp1045uq
  • PDF DMP1045UQ-7.pdf
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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC1030UFDB-7
  • PaqueteU-DFN2020-6D
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 5.1a; 3.9a Potencia (pd) 1.36w canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 17mwh @ 4.5v, 4.6a; 37momega @ 4.5v, 3.6a encapsulado u - dfn2020 - 6d Field Efect Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) dmc1030ufdb - 7 Series dmc1030ufdb
  • PDF DMC1030UFDB-7.pdf
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DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC3400SDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.6V@250uA Corriente 650ma; 450ma Power (pd) 310mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 590ma, 10v encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc340sdw - 7 serie dmc340sdw
  • PDF DMC3400SDW-7.pdf
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DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2700UDM-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.34a; 1.14a Potencia (pd) Canal 1.12w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmc2700udm - 7 serie dmc2700udm
  • PDF DMC2700UDM-7.pdf
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