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DIODES(美台)

DIODES(美台)

ZVN3306FTA

ZVN3306FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN3306FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@1mA Corriente 150 ma Potencia (pd) 330mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 5 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) zvn3306fta serie zvn3306fta
  • PDF ZVN3306FTA.pdf
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DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6050SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 7.2a; Resistencia de conducción P del canal de 1,9w de Potencia 23.6a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 7a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6050sk3 - 13 serie dmph6050sk3
  • PDF DMPH6050SK3-13.pdf
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DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0U-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 380ma Potencia (pd) 380mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 100ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0u - 13 serie dmn62d0u
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP21D5UFB4-7B
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 700ma Potencia (pd) 460mw resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 970mohm @ 5v, 100ma encapsulada dfn - 3 (0,6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp21d5ufb4 - 7b serie dmp21d5ufb4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
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DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3200U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.2a Potencia (pd) 650mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 90mwh @ 4.5v, 2.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3200u - 7 serie dmn3200u
  • PDF DMN3200U-7.pdf
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BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138-13-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw de 200 ma de Potencia (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss138 - 13 - F serie bss138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
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ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4525E6TA
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 250V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@1mA Corriente 230ma Potencia (pd) Canal de 1,1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 8,5 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4525e6ta serie zvn4525e6ta
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
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DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN60H080DS-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) 100 Omega @ 60ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn60h080ds - 7 serie dmn60h080ds
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
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DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6016LFDF-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 8.9a Potencia (pd) 820mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 16mwh @ 10v, 10a encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6016lfdf - 7 serie dmt6016lfdf
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
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ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A17E6TA
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 2.3a Potencia (pd) 125mwh @ 10v, 2.3a encapsulada Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a17e6ta serie zxmp6a17e6ta
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
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DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6185SEQ-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 3a Power (pd) 2.2w (rds (on) @ vgs, id) 150 MWH @ 10v, embalaje Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6185seq - 13 serie dmp6185seq
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
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DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3010LPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 36a Power (pd) 2.18w (rds (on) @ vgs, id) 7.5momega @ 10v, 10a encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3010lpsq - 13 serie dmp3010lpsq
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
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BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBS870-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw (rds (on) @ vgs, id) de 250ma de Potencia (pd) de 500ma 5 Omega @ 10v, 200ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) serie bs870 - 7 - F bs870
  • PDF BS870-7-F.pdf
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DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2053UVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 4.6a; 3.2a Potencia (pd) 700mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 5a, 4.5; 74momega @ 3.5a, 4.5v encapsulado Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2053uwt - 7 serie dmc2053uwt
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
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DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2088LCP3-7
  • PaqueteX2-DSN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 2.9a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.13w (rds (on) @ vgs, id) 88mwh @ 8v, 500ma encapsulado X2 - dsn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2088lcp3 - 7 serie dmp2088lcp3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
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DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4466SSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 10a (pd) 1,42w (rds (on) @ vgs, id) 23momega @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg4466sss - 13 serie dmg4466sss
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
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DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6008LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 13a; 60a Potencia (pd) 2,2w; Resistencia de conducción n del Canal 41w (rds (on) @ vgs, id) 7,5 MWH @ 10v, 20a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6008lfg - 7 serie dmt6008lfg
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
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DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2123L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 72mwh @ 4,5v, encapsulada en 3,5a con tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (midea) dmp2123l - 7 serie dmp2123l
  • PDF DMP2123L-7.pdf
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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC21D1UDA-7B
  • PaqueteDFN-6(0.6x0.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 328ma; Canal de 455 ma de Potencia (pd) 300mw 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 990 MWH @ 100ma, 4.5; 1.9 Omega @ 100ma, 4.5v encapsulado dfn - 6 (0.6x0.8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmc21d1uda - 7b serie dmc21d1uda
  • PDF DMC21D1UDA-7B.pdf
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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8LDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 180ma Potencia (pd) 300mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 115ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8ldw - 7 serie dmn65d8ldw
  • PDF DMN65D8LDW-7.pdf
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