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DIODES(美台)

DIODES(美台)

ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP7A17GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 70v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.6a Potencia (pd) Canal 2w resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 160mwh @ 10v, 2.1a encapsulado Sot - 223 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp7a17gta serie zxmp7a17gta
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
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DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1019UVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 800mV@250uA Corriente 10.7a Potencia (pd) 1.73w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10momega @ 4.5v, 9.7a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn1019 serie dmn1019 uvt
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
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ZVN2106A

ZVN2106A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN2106A
  • PaqueteTO-92
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@1mA Resistencia a la conducción n del canal de 700 MW (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v con corriente de 450 ma y potencia (pd), 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 92 (mosfet) marca diodes (midea) serie zvn2106a zvn2106a
  • PDF ZVN2106A.pdf
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DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN32D2LFB4-7
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 300ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,2omega @ 4v, 100ma encapsulado dfn - 3 (0,6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn32d2lfb4 - 7 serie dmn32d2lfb4
  • PDF DMN32D2LFB4-7.pdf
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DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG7401SFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 9.8a Potencia (pd) 940mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 202v, 12a encapsulado powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg7401sfg - 7 serie dmg7401sfg
  • PDF DMG7401SFG-7.pdf
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DMN2041L-7

DMN2041L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2041L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 6.4a Potencia (pd) 780mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 4.5v, 6a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2041l - 7 serie dmn2041l
  • PDF DMN2041L-7.pdf
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ZVP4525ZTA

ZVP4525ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVP4525ZTA
  • PaqueteSOT-89
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 250V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 205ma Potencia (pd) 1,2w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 14 Omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 89 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvp4525zta serie zvp4525zta
  • PDF ZVP4525ZTA.pdf
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DMG1016V-7

DMG1016V-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1016V-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 870 ma; 640ma Power (pd) 530mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1016v - 7 serie dmg1016v
  • PDF DMG1016V-7.pdf
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DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG2305UXQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 52mwh @ 4,5v, 4.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2305uxq - 7 serie dmg2305uxq
  • PDF DMG2305UXQ-7.pdf
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DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2066LSN-7
  • PaqueteSC-59
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.25w (rds (on) @ vgs, id) 40momega @ 4.5v, 4.6a encapsulada SC - 59 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2066lsn - 7 serie dmp2066lsn
  • PDF DMP2066LSN-7.pdf
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DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMNH6042SSDQ-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 16.7a Potencia (pd) 2.1w canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 5.1a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmnh6042ssdq - 13 serie dmnh6042ssdq
  • PDF DMNH6042SSDQ-13.pdf
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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN601DWK-7
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Corriente 305 ma Potencia (pd) Canal de 200 MW 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn601dwk - 7 serie dmn601dwk
  • PDF DMN601DWK-7.pdf
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DMG301NU-7

DMG301NU-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG301NU-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 25v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Corriente 260ma Potencia (pd) 320mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 4omega @ 4,5v, 400ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg301nu - 7 serie dmg301nu
  • PDF DMG301NU-7.pdf
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DMG3406L-13

DMG3406L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3406L-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 3.6a Potencia (pd) 770mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 3.6a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3406l - 13 serie dmg3406l
  • PDF DMG3406L-13.pdf
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ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMN6A07ZTA
  • PaqueteSOT-89
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.9a Potencia (pd) Canal 1.5w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 250momega @ 10v, embalaje Sot - 89 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) zxmn6a07zta serie zxmn6a07zta
  • PDF ZXMN6A07ZTA.pdf
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DMPH6250SQ-7

DMPH6250SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6250SQ-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 920mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 155mwh @ 2a, 10v encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6250sq - 7 serie dmph6250sq
  • PDF DMPH6250SQ-7.pdf
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DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3016LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.3V@250uA Corriente 12.4a Potencia (pd) Canal de 1.6w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 10v, 11a encapsulado to - 252 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lk3 - 13 serie dmn3016lk3
  • PDF DMN3016LK3-13.pdf
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DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6023LFGQ-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.7a (pd) 25mwh @ 5a, encapsulada en 10v con tubo de efecto de campo powerdi333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6023lfgq - 7 serie dmp6023lfgq
  • PDF DMP6023LFGQ-7.pdf
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DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6110SSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 4.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del Canal 1.5w (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 10v, embalaje 4.5a so - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6110sss - 13 serie dmp6110sss
  • PDF DMP6110SSS-13.pdf
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DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4025SFG-13
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Corriente 4.65a Potencia (pd) Canal de 810 MW resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25 MWH @ 10v, 3a encapsulada powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4025sfg - 13 serie dmp4025sfg
  • PDF DMP4025SFG-13.pdf
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