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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6016LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 7.6a Potencia (pd) Canal 1.9w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 19.5mohm @ 10v, 10a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmth6016lsd - 13 serie dmth6016lsd
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
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DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3404L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 10v, 5.8a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3404l - 7 serie dmg3404l
  • PDF DMG3404L-7.pdf
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DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3018SFV-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 11a; 35a Potencia (pd) 11a; Resistencia de conducción P del canal 35a (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 11.5a, encapsulada en 10v Power di3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3018 sfv - 7 serie dmp3018 sfv
  • PDF DMP3018SFV-7.pdf
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ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A17GQTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 125 MWH @ 10v, encapsulada en 2.2a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a17gqta serie zxmp6a17gqta
  • PDF ZXMP6A17GQTA.pdf
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DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT4011LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 30a Potencia (pd) 15,6w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 20a encapsulado powerdi333 - 8 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmt4011lfg - 7 serie dmt4011lfg
  • PDF DMT4011LFG-7.pdf
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DMP3160L-7

DMP3160L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3160L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 2.7a Potencia (pd) 1.08w resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 122mwh @ 10v, 2.7a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3160l - 7 serie dmp3160l
  • PDF DMP3160L-7.pdf
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DMP3099L-13

DMP3099L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3099L-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 3.8a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.08w (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 10v, 3.8a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3099l - 13 serie dmp3099l
  • PDF DMP3099L-13.pdf
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DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP1005UFDF-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 2,1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 26a (pd) 8,5momega @ 4,5v, 5a encapsulada dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp1005ufdf - 7 serie dmp1005ufdf
  • PDF DMP1005UFDF-7.pdf
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ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61N02FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 700mV@250uA Corriente 1.7a Potencia (pd) 625mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 180mwh @ 4.5v, 930ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61n02fta serie zxm61n02fta
  • PDF ZXM61N02FTA.pdf
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DMP3036SSD-13

DMP3036SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3036SSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 10.6a Potencia (pd) Canal 1.2w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 20mwh @ 10v, 9a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3036ssd - 13 serie dmp3036ssd
  • PDF DMP3036SSD-13.pdf
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DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN10H220LQ-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) Canal de 1.3w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 220momega @ 1.6a, 10v encapsulado Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h220lq - 7 serie dmn10h220lq
  • PDF DMN10H220LQ-7.pdf
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2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002Q-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia a la conducción n del canal de 370mw (rds (on) @ vgs, id) de 210ma de Potencia (pd) 5 Omega @ 500ma, 10v encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002q - 7 - F serie 2n7002q
  • PDF 2N7002Q-7-F.pdf
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ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP4A16GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.4a (pd) 60mwh @ 10v, 3.8a encapsulada Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmpe4a16gta Series zxmpe4a16gta
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
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ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4206GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Resistencia de conducción n del Canal 2w de potencia 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, encapsulado en 1.5a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (midea) zvn4206gta serie zvn4206gta
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
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DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2004TK-7
  • PaqueteSOT-523
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 430ma Potencia (pd) 150mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,1omega @ 4,5v, 430ma encapsulado Sot - 523 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004tk - 7 serie dmp2004tk
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
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BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84WQ-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Resistencia de conducción P del canal de 200 MW (rds (on) @ vgs, id) de 130 Ma de Potencia (pd) 10 Omega @ 5v, 100 ma encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss84wq - 7 - F serie bss84wq
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
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DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 500ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0lq - 7 serie dmn53d0lq
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
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DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 320mw (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 100ma, encapsulada en 4.5v Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0uw - 7 serie dmn62d0uw
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
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DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN67D7L-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 570 MW (rds (on) @ vgs, id) de 210ma de Potencia (pd) de 5 Omega @ 500ma, 10v encapsulada Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn67d7l - 7 serie dmn67d7l
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
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DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6140LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 1.8a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6140lq - 7 serie dmn6140lq
  • PDF DMN6140LQ-7.pdf
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