О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP3A16GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.4A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A16GTA 系列 ZXMP3A16GTA
  • PDF ZXMP3A16GTA.pdf
DMP2215L-7

DMP2215L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2215L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2215L-7 系列 DMP2215L
  • PDF DMP2215L-7.pdf
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG6402LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.75W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6402LVT-7 系列 DMG6402LVT
  • PDF DMG6402LVT-7.pdf
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG4822SSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,8.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4822SSD-13 系列 DMG4822SSD
  • PDF DMG4822SSD-13.pdf
DMN6040SK3-13

DMN6040SK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN6040SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 42W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,20A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SK3-13 系列 DMN6040SK3
  • PDF DMN6040SK3-13.pdf
DMN6040SVT-7

DMN6040SVT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN6040SVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SVT-7 系列 DMN6040SVT
  • PDF DMN6040SVT-7.pdf
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2990UDJ-7
  • КорпусSOT-963
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 450mA мощность (Pd) 350mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-963 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2990UDJ-7 系列 DMN2990UDJ
  • PDF DMN2990UDJ-7.pdf
DMP4015SSSQ-13

DMP4015SSSQ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4015SSSQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@9.8A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSSQ-13 系列 DMP4015SSSQ
  • PDF DMP4015SSSQ-13.pdf
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMN10A07ZTA
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07ZTA 系列 ZXMN10A07ZTA
  • PDF ZXMN10A07ZTA.pdf
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMT3020LFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 700mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3020LFDB-7 系列 DMT3020LFDB
  • PDF DMT3020LFDB-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 3435363738394041...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd