Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.4A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A16GTA серия ZXMP3A16GTA
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2215L-7 серия DMP2215L
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.75W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6402LVT-7 серия DMG6402LVT
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,8.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4822SSD-13 серия DMG4822SSD
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 20A мощность (Pd) 42W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,20A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SK3-13 серия DMN6040SK3
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SVT-7 серия DMN6040SVT
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 450mA мощность (Pd) 350mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA корпус SOT-963 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2990UDJ-7 серия DMN2990UDJ
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 9.1A мощность (Pd) 1.45W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@9.8A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4015SSSQ-13 серия DMP4015SSSQ
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A07ZTA серия ZXMN10A07ZTA
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 700mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3020LFDB-7 серия DMT3020LFDB