Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A; 3.7A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N и 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC4035LSD-13 серия DMHC4035LSD
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.3A мощность (Pd) 1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4013LFGQ-7 серия DMP4013LFGQ
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 150mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601TK-7 серия DMN601TK
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.1A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN2B01FTA серия ZXMN2B01FTA
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 3.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,1.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160U-7 серия DMP2160U DMP2160U-7
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 17A мощность (Pd) 1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8mΩ@10V,10A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3010LK3-13 серия DMP3010LK3
Описаниедопустимое напряжение 28V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3150L-7 серия DMN3150L
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.7A; 2.6A мощность (Pd) 800mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус TSOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2038LVT-7 серия DMC2038LVT
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.9A мощность (Pd) 1.1W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,5.3A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3085LSD-13 серия DMP3085LSD
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 1W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@5.8A,10V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LFDBQ-7 серия DMN3032LFDBQ