О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN1029UFDB-7
  • КорпусDFN-6(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.6A мощность (Pd) 1.4W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@5A,4.5V корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1029UFDB-7 серия DMN1029UFDB
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
Консультация
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMN4A06GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN4A06GTA серия ZXMN4A06GTA
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
Консультация
DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP26M7UFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 18A; 40A мощность (Pd) 2.3W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,15A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP26M7UFG-7 серия DMP26M7UFG
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
Консультация
2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002DWQ-7-F
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 310mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002DWQ-7-F серия 2N7002DWQ
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
Консультация
DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG3406L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 770mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3406L-7 серия DMG3406L
  • PDF DMG3406L-7.pdf
Консультация
DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMTH4008LPSQ-13
  • КорпусPowerDI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.4A; 64.8A мощность (Pd) 2.99W; 55.5W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.8mΩ@10A,10V корпус PowerDI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH4008LPSQ-13 серия DMTH4008LPSQ
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
Консультация
DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3056LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 7.1A мощность (Pd) 2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056LSS-13 серия DMP3056LSS
  • PDF DMP3056LSS-13.pdf
Консультация
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2005UFG-13
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 18.1A мощность (Pd) 1.05W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.6mΩ@4.5V,13.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2005UFG-13 серия DMN2005UFG
  • PDF DMN2005UFG-13.pdf
Консультация
ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVP3306FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 90mA мощность (Pd) 330mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP3306FTA серия ZVP3306FTA
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
Консультация
DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3028LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.3W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,7A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LSD-13 серия DMP3028LSD
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 3738394041424344...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd