О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC1229UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.6A；3.8A мощность (Pd) 1.4W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,5A；37mΩ@4.5V,3.6A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC1229UFDB-7 系列 DMC1229UFDB
  • PDF DMC1229UFDB-7.pdf
Консультация
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG6968UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 1.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UQ-7 系列 DMG6968UQ
  • PDF DMG6968UQ-7.pdf
Консультация
DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP1045UFY4-7
  • КорпусX2-DFN2015-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5.5A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A корпус X2-DFN2015-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045UFY4-7 系列 DMP1045UFY4
  • PDF DMP1045UFY4-7.pdf
Консультация
DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG1016UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.07A；845mA мощность (Pd) 330mW канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1016UDW-7 系列 DMG1016UDW
  • PDF DMG1016UDW-7.pdf
Консультация
DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC3025LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.5A；4.2A мощность (Pd) 1.2W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@7.4A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3025LSD-13 系列 DMC3025LSD
  • PDF DMC3025LSD-13.pdf
Консультация
DMN3731U-7

DMN3731U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN3731U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 900mA мощность (Pd) 400mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3731U-7 系列 DMN3731U
  • PDF DMN3731U-7.pdf
Консультация
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG6968UDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 850mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6968UDM-7 系列 DMG6968UDM
  • PDF DMG6968UDM-7.pdf
Консультация
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMTH43M8LPSQ-13
  • КорпусPower-DI-5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 22A；100A мощность (Pd) 2.7W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.3mΩ@20A,10V корпус Power-DI-5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH43M8LPSQ-13 系列 DMTH43M8LPSQ
  • PDF DMTH43M8LPSQ-13.pdf
Консультация
ZVP2110A

ZVP2110A-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVP2110A
  • КорпусTO-92L-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 230mA мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8Ω@10V,375mA корпус TO-92L-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP2110A 系列 ZVP2110A
  • PDF ZVP2110A.pdf
Консультация
DMN601DMK-7

DMN601DMK-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN601DMK-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 510mA мощность (Pd) 700mW канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.4Ω@10V,200mA корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601DMK-7 系列 DMN601DMK
  • PDF DMN601DMK-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 3536373839404142...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd