Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2035UVTQ-7 серия DMP2035UVTQ
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.7A мощность (Pd) 1.56W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 66mΩ@4.5A,10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6066SSS-13 серия DMN6066SSS
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 200mA мощность (Pd) 350mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,500mA корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4106FTA серия ZVN4106FTA
Описаниедопустимое напряжение 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.8V@250uA ток 550mA мощность (Pd) 630mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN30H4D0LFDE-7 серия DMN30H4D0LFDE
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 100A мощность (Pd) 3.9W; 180W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.8mΩ@10V,90A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6004SK3-13 серия DMTH6004SK3
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 380mA мощность (Pd) 380mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4.5V,100mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0U-7 серия DMN62D0U
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3037LSS-13 серия DMP3037LSS
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 450mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,200mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN63D8LV-7 серия DMN63D8LV
Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 360mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 366mΩ@200mA,4.5V корпус DFN-3(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1260UFA-7B серия DMN1260UFA
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,250mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002E-7-F серия 2N7002E