Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 11A; 35A мощность (Pd) 11A; 35A канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@11.5A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3018SFV-7 серия DMP3018SFV
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A17GQTA серия ZXMP6A17GQTA
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 30A мощность (Pd) 15.6W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT4011LFG-7 серия DMT4011LFG
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 122mΩ@10V,2.7A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3160L-7 серия DMP3160L
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-13 серия DMP3099L
Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 26A мощность (Pd) 2.1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,5A корпус DFN-6(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1005UFDF-7 серия DMP1005UFDF
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 700mV@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,930mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N02FTA серия ZXM61N02FTA
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 10.6A мощность (Pd) 1.2W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3036SSD-13 серия DMP3036SSD
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@1.6A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220LQ-7 серия DMN10H220LQ
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002Q-7-F серия 2N7002Q