О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMG301NU-7

DMG301NU-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG301NU-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 25V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@4.5V,400mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG301NU-7 系列 DMG301NU
  • PDF DMG301NU-7.pdf
DMG3406L-13

DMG3406L-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG3406L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd) 770mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3406L-13 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-13.pdf
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMN6A07ZTA
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.9A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,1.8A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A07ZTA 系列 ZXMN6A07ZTA
  • PDF ZXMN6A07ZTA.pdf
DMPH6250SQ-7

DMPH6250SQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMPH6250SQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 920mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 155mΩ@2A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6250SQ-7 系列 DMPH6250SQ
  • PDF DMPH6250SQ-7.pdf
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN3016LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA ток 12.4A мощность (Pd) 1.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3016LK3-13 系列 DMN3016LK3
  • PDF DMN3016LK3-13.pdf
DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP6023LFGQ-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LFGQ-7 系列 DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-7.pdf
DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP6110SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A мощность (Pd) 1.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@10V,4.5A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6110SSS-13 系列 DMP6110SSS
  • PDF DMP6110SSS-13.pdf
DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4025SFG-13
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 4.65A мощность (Pd) 810mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4025SFG-13 系列 DMP4025SFG
  • PDF DMP4025SFG-13.pdf
ZVN3306FTA

ZVN3306FTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVN3306FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@1mA ток 150mA мощность (Pd) 330mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN3306FTA 系列 ZVN3306FTA
  • PDF ZVN3306FTA.pdf
DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMPH6050SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A;23.6A мощность (Pd) 1.9W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SK3-13 系列 DMPH6050SK3
  • PDF DMPH6050SK3-13.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 2728293031323334...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd