О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP4A16GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 6.4A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.8A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP4A16GTA серия ZXMP4A16GTA
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
Консультация
ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVN4206GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206GTA серия ZVN4206GTA
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
Консультация
DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2004TK-7
  • КорпусSOT-523
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 430mA мощность (Pd) 150mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.1Ω@4.5V,430mA корпус SOT-523 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004TK-7 серия DMP2004TK
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
Консультация
BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельBSS84WQ-7-F
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 130mA мощность (Pd) 200mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS84WQ-7-F серия BSS84WQ
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
Консультация
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN53D0LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 500mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LQ-7 серия DMN53D0LQ
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
Консультация
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN62D0UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 340mA мощность (Pd) 320mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UW-7 серия DMN62D0UW
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
Консультация
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN67D7L-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 210mA мощность (Pd) 570mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN67D7L-7 серия DMN67D7L
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
Консультация
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN6140LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 1.6A мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6140LQ-7 серия DMN6140LQ
  • PDF DMN6140LQ-7.pdf
Консультация
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP7A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.6A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP7A17GTA серия ZXMP7A17GTA
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
Консультация
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN1019UVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 800mV@250uA ток 10.7A мощность (Pd) 1.73W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@4.5V,9.7A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN1019UVT-7 серия DMN1019UVT
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 2526272829303132...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd