О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > IGBT-транзистор /модуль
Бренд：
NCECR Huajing
Мультивыбор
Корпус：
TO-247TO-247-3TO-220TO-3P-3TO-220F-3TO-247PTO-263-2TO-3PNTO-247AC-3TO-220AB-3TO-251TO-252TO-252-2TO-263-3
Мультивыбор
NCE15TD60B

NCE15TD60B-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE15TD60B
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 30A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 105W заряд затвора 63nC время обратного восстановления (trr) 170ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE15TD60B
  • PDF NCE15TD60B.pdf
Консультация
NCE40TH60BP

NCE40TH60BP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TH60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 120A мощность 286W заряд затвора 176nC время обратного восстановления (trr) 170ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-3P-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TH60BP
  • PDF NCE40TH60BP.pdf
Консультация
NCE75TD120VTP

NCE75TD120VTP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE75TD120VTP
  • КорпусTO-247P
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 150A ток - коллектор импульс (Icm) 300A мощность 833W заряд затвора 572nC время обратного восстановления (trr) 180ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247P IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE75TD120VTP
  • PDF NCE75TD120VTP.pdf
Консультация
NCE40TD60BT

NCE40TD60BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD60BT
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 120A мощность 286W заряд затвора 176nC время обратного восстановления (trr) 242ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TD60BT
  • PDF NCE40TD60BT.pdf
Консультация
NCE30TD60BF

NCE30TD60BF-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TD60BF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 60A ток - коллектор импульс (Icm) 90A мощность 35.5W заряд затвора 132nC время обратного восстановления (trr) 178ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220F-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE30TD60BF
  • PDF NCE30TD60BF.pdf
Консультация
NCE07T60BI

NCE07T60BI-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE07T60BI
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 14A ток - коллектор импульс (Icm) 21A мощность 73W заряд затвора 28nC время обратного восстановления (trr) 20ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-251 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE07T60BI
  • PDF NCE07T60BI.pdf
Консультация
NCE25TD135LT

NCE25TD135LT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE25TD135LT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1350V ток - коллектор (Ic) 50A ток - коллектор импульс (Icm) 75A мощность 365W заряд затвора 146nC время обратного восстановления (trr) 120ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE25TD135LT
  • PDF NCE25TD135LT.pdf
Консультация
NCE60TD60BP

NCE60TD60BP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE60TD60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 120A ток - коллектор импульс (Icm) 180A мощность 316W заряд затвора 262nC время обратного восстановления (trr) 186ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-3P-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE60TD60BP
  • PDF NCE60TD60BP.pdf
Консультация
NCE25TD120LT

NCE25TD120LT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE25TD120LT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 50A ток - коллектор импульс (Icm) 75A мощность 365W заряд затвора 146nC время обратного восстановления (trr) 120ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE25TD120LT
  • PDF NCE25TD120LT.pdf
Консультация
NCE15TD120BT

NCE15TD120BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE15TD120BT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 30A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 300W заряд затвора 90nC время обратного восстановления (trr) 120ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE15TD120BT
  • PDF NCE15TD120BT.pdf
Консультация
Всего записей: 49«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd