О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > IGBT-транзистор /модуль
Бренд：
NCECR Huajing
Мультивыбор
Корпус：
TO-247TO-247-3TO-220TO-3P-3TO-220F-3TO-247PTO-263-2TO-3PNTO-247AC-3TO-220AB-3TO-251TO-252TO-252-2TO-263-3
Мультивыбор
NCE30TD60B

NCE30TD60B-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TD60B
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 60A ток - коллектор импульс (Icm) 90A мощность 190W заряд затвора 132nC время обратного восстановления (trr) 19ns различные Vge, Ic час Vce(on) - корпус TO-220 IGBT-транзистор /модуль бренд NCE артикул NCE30TD60B
  • PDF NCE30TD60B.pdf
Консультация
NCE80TD60BT

NCE80TD60BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE80TD60BT
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 160A ток - коллектор импульс (Icm) 240A мощность 390W заряд затвора 331nC время обратного восстановления (trr) 194ns различные Vge, Ic час Vce(on) - корпус TO-247AC-3 IGBT-транзистор /модуль бренд NCE артикул NCE80TD60BT
  • PDF NCE80TD60BT.pdf
Консультация
NCE60TD60BT

NCE60TD60BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE60TD60BT
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 120A ток - коллектор импульс (Icm) 180A мощность 316W заряд затвора 262nC время обратного восстановления (trr) 186ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE60TD60BT
  • PDF NCE60TD60BT.pdf
Консультация
NCE15TD60BD

NCE15TD60BD-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE15TD60BD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 30A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 34W заряд затвора 63nC время обратного восстановления (trr) 170ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-263-2 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE15TD60BD
  • PDF NCE15TD60BD.pdf
Консультация
NCE15TD60BF

NCE15TD60BF-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE15TD60BF
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 30A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 34W заряд затвора 63nC время обратного восстановления (trr) 170ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE15TD60BF
  • PDF NCE15TD60BF.pdf
Консультация
NCE20TD60B

NCE20TD60B-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE20TD60B
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 40A ток - коллектор импульс (Icm) 60A мощность 34.5W заряд затвора 97nC время обратного восстановления (trr) 182ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE20TD60B
  • PDF NCE20TD60B.pdf
Консультация
NCE20TD60BF

NCE20TD60BF-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE20TD60BF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 40A ток - коллектор импульс (Icm) 60A мощность 34.5W заряд затвора 97nC время обратного восстановления (trr) 182ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220F-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE20TD60BF
  • PDF NCE20TD60BF.pdf
Консультация
NCE30TD60BD

NCE30TD60BD-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TD60BD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 60A ток - коллектор импульс (Icm) 90A мощность 190W заряд затвора 132nC время обратного восстановления (trr) 178ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-263-2 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE30TD60BD
  • PDF NCE30TD60BD.pdf
Консультация
NCE07TD60BK

NCE07TD60BK-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE07TD60BK
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 14A ток - коллектор импульс (Icm) 21A мощность 73W заряд затвора 28nC время обратного восстановления (trr) 230ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-252 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE07TD60BK
  • PDF NCE07TD60BK.pdf
Консультация
NCE07TD60BD

NCE07TD60BD-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE07TD60BD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 12A ток - коллектор импульс (Icm) 21A мощность 32W заряд затвора 28nC время обратного восстановления (trr) 230ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-263-2 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE07TD60BD
  • PDF NCE07TD60BD.pdf
Консультация
Всего записей: 49«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd