О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > IGBT-транзистор /модуль
Бренд：
NCECR Huajing
Мультивыбор
Корпус：
TO-247TO-247-3TO-220TO-3P-3TO-220F-3TO-247PTO-263-2TO-3PNTO-247AC-3TO-220AB-3TO-251TO-252TO-252-2TO-263-3
Мультивыбор
NCE40TD65BT

NCE40TD65BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD65BT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 650V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 160A мощность 286W заряд затвора 176nC время обратного восстановления (trr) 242ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TD65BT
  • PDF NCE40TD65BT.pdf
Консультация
NCE50TD120VT

NCE50TD120VT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE50TD120VT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 100A ток - коллектор импульс (Icm) 200A мощность 535W заряд затвора 370nC время обратного восстановления (trr) 150ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE50TD120VT
  • PDF NCE50TD120VT.pdf
Консультация
NCE75TS120VTP

NCE75TS120VTP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE75TS120VTP
  • КорпусTO-247P
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 150A ток - коллектор импульс (Icm) 300A мощность 833W заряд затвора 572nC время обратного восстановления (trr) 126ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247P IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE75TS120VTP
  • PDF NCE75TS120VTP.pdf
Консультация
NCE25TD120BT

NCE25TD120BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE25TD120BT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 50A ток - коллектор импульс (Icm) 75A мощность 365W заряд затвора 146nC время обратного восстановления (trr) 190ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE25TD120BT …
  • PDF NCE25TD120BT.pdf
Консультация
NCE80TD65BT

NCE80TD65BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE80TD65BT
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание напряжение - пробой коллектор-эмиттер 650V ток - коллектор (Ic) 160A ток - коллектор импульс (Icm) 240A мощность 390W заряд затвора 331nC время обратного восстановления (trr) 194ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247AC-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE80TD65BT
  • PDF NCE80TD65BT.pdf
Консультация
NCE07TD60BF

NCE07TD60BF-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE07TD60BF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 12A ток - коллектор импульс (Icm) 21A мощность 73W заряд затвора 28nC время обратного восстановления (trr) 230ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220F-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE07TD60BF
  • PDF NCE07TD60BF.pdf
Консультация
NCE40TS120VTP

NCE40TS120VTP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TS120VTP
  • КорпусTO-247P
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 160A мощность 468W заряд затвора 298nC время обратного восстановления (trr) 156ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247P IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TS120VTP
  • PDF NCE40TS120VTP.pdf
Консультация
NCE40TD120VT

NCE40TD120VT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD120VT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 160A мощность 468W заряд затвора 298nC время обратного восстановления (trr) 156ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TD120VT
  • PDF NCE40TD120VT.pdf
Консультация
NCE40TD120VTP

NCE40TD120VTP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD120VTP
  • КорпусTO-247P
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 160A мощность 468W заряд затвора 298nC время обратного восстановления (trr) 156ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247P IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TD120VTP
  • PDF NCE40TD120VTP.pdf
Консультация
NCE10TD60BD

NCE10TD60BD-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE10TD60BD
  • КорпусTO-263-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание напряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 20A ток - коллектор импульс (Icm) 30A мощность 83W заряд затвора 44nC время обратного восстановления (trr) 158ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-263-3 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE10TD60BD
  • PDF NCE10TD60BD.pdf
Консультация
Всего записей: 49«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd