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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP6050AQU

NCEP6050AQU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP6050AQU
  • 封装规格DFN-8L(3.3x3.3)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 50A 功率(Pd)  60W 沟道 N 导通电阻 6.5mΩ (typical) @VGS=10V 封装 DFN-8L(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP6050AQU
  • PDF NCEP6050AQU.pdf
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NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30D2519K
  • 封装规格TO-252-4
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2V@250uA 电流 N,25A-P,-19A 功率(Pd)  21W 沟道 1个N和1个P 导通电阻 8.5mΩ@10V,7A 封装 TO-252-4 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
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NCE4012S

NCE4012S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4012S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 12A 功率(Pd)  3W 沟道 N导通电阻 12mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4012S
  • PDF NCE4012S.pdf
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NCE65T180T

NCE65T180T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T180T
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 21A 功率(Pd)  188W 沟道 N导通电阻 150mΩ@10V,10.5A 封装 TO-247-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T180T
  • PDF NCE65T180T.pdf
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NCE3008M

NCE3008M-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3008M
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  3.5W 沟道 N导通电阻 19.8mΩ@10V,8A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3008M
  • PDF NCE3008M.pdf
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NCE3090K

NCE3090K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3090K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  105W 沟道 N导通电阻 5.8mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3090K
  • PDF NCE3090K.pdf
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NCE0202M

NCE0202M-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0202M
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 2A 功率(Pd)  1.5W 沟道 N导通电阻 520mΩ@10V,2A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0202M
  • PDF NCE0202M.pdf
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NCE65TF130F

NCE65TF130F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF130F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 28A 功率(Pd)  35W 沟道 N导通电阻 130mΩ@10V,14A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF130F
  • PDF NCE65TF130F.pdf
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NCEP040N10D

NCEP040N10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP040N10D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  210W 沟道 N导通电阻 3.55mΩ@10V65A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP040N10D
  • PDF NCEP040N10D.pdf
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NCE0140K2

NCE0140K2-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0140K2
  • 封装规格TO-252
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 40A 功率(Pd)  140W 沟道 N导通电阻 14.5mΩ@10V,28A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0140K2
  • PDF NCE0140K2.pdf
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NCE60P09S

NCE60P09S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P09S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压 - 电流 -9A 功率(Pd)  3W 沟道 P导通电阻 38mΩ @ VGS=-10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P09S
  • PDF NCE60P09S.pdf
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NCE9926

NCE9926-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE9926
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 6A 功率(Pd)  1.25W 沟道 2个N导通电阻 28mΩ@4.5V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE9926
  • PDF NCE9926.pdf
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NCE6045G

NCE6045G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6045G
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 45A 功率(Pd)  60W 沟道 N导通电阻 13mΩ @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6045G
  • PDF NCE6045G.pdf
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NCEP15T14

NCEP15T14-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP15T14
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 4V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  320W 沟道 N 导通电阻 6.2mΩ@10V,70A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP15T14
  • PDF NCEP15T14.pdf
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NCE6012AS

NCE6012AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6012AS
  • 封装规格SOP-8-4.0mm
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 12A 功率(Pd)  3W 沟道 N导通电阻 11mΩ@10V,12A 封装 SOP-8-4.0mm 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6012AS
  • PDF NCE6012AS.pdf
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NCEP039N10D

NCEP039N10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP039N10D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 135A 功率(Pd)  220W 沟道 N 导通电阻 3.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP039N10D
  • PDF NCEP039N10D.pdf
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NCE20P70G

NCE20P70G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE20P70G
  • 封装规格PDFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 600mV@250uA 电流 70A 功率(Pd)  130W 沟道 P 导通电阻 2.3mΩ@4.5V,20A 封装 PDFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE20P70G
  • PDF NCE20P70G.pdf
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NCE60P12AS

NCE60P12AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P12AS
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压 - 电流 -12A 功率(Pd)  3.5W 沟道 P 导通电阻 14mΩ @ VGS=-10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P12AS
  • PDF NCE60P12AS.pdf
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NCE3080KA

NCE3080KA-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3080KA
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  83W 沟道 N导通电阻 6.5mΩ@10V,30A 封装  TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3080KA
  • PDF NCE3080KA.pdf
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NCE6003XY

NCE6003XY-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6003XY
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 3A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N导通电阻 90mΩ @ VGS=10V 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6003XY
  • PDF NCE6003XY.pdf
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