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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP0135AK

NCEP0135AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP0135AK
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2V@250uA 电流 35A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 18mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP0135AK
  • PDF NCEP0135AK.pdf
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NCE55P15K

NCE55P15K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P15K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 55V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  35W 沟道 P导通电阻 75mΩ@10V,5A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P15K
  • PDF NCE55P15K.pdf
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NCE1505S

NCE1505S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE1505S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 3.2V@250uA 电流 5.2A 功率(Pd)  3.5W 沟道 N导通电阻 31mΩ@10V,5.2A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE1505S
  • PDF NCE1505S.pdf
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NCE8295AD

NCE8295AD-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8295AD
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 82V 阈值电压 4V@250uA 电流 95A 功率(Pd)  170W 沟道 N 导通电阻 8mΩ@10V,20A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8295AD
  • PDF NCE8295AD.pdf
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NCE9435

NCE9435-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE9435
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  2.5W 沟道 P导通电阻 43mΩ@10V,5.1A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE9435
  • PDF NCE9435.pdf
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NCEP15T14D

NCEP15T14D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP15T14D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 3V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  340W 沟道 N导通电阻 5.6mΩ@10V,70A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP15T14D
  • PDF NCEP15T14D.pdf
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NCE0117K

NCE0117K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0117K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 17A 功率(Pd)  55W 沟道 N导通电阻 70mΩ@10V,5A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0117K
  • PDF NCE0117K.pdf
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NCE55P05S

NCE55P05S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P05S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 55V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  3W 沟道 P导通电阻 80mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P05S
  • PDF NCE55P05S.pdf
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NCE609

NCE609-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE609
  • 封装规格TO-252-4
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 N,21A-P,-14A 功率(Pd)  40W 沟道 1个N和1个P导通电阻 14mΩ@10V,10A 封装 TO-252-4 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE609
  • PDF NCE609.pdf
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NCEP40P80K

NCEP40P80K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40P80K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -40V 阈值电压 - 电流 -80A 功率(Pd)  150W 沟道 P 导通电阻 5.6mΩ (typical) @ VGS=-10V 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40P80K
  • PDF NCEP40P80K.pdf
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NCE8295AK

NCE8295AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8295AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 82V 阈值电压 - 电流 95A 功率(Pd)  170W 沟道 N导通电阻 8.0 mΩ @ VGS=10V (Typ:6.6mΩ) 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8295AK
  • PDF NCE8295AK.pdf
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NCEP02T10

NCEP02T10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02T10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  300W 沟道 N导通电阻 10mΩ@10V,50A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02T10
  • PDF NCEP02T10.pdf
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NCEP40P80G

NCEP40P80G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40P80G
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -40V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 -80A 功率(Pd)  75W 沟道 P导通电阻 6.3mΩ (typical) @ VGS=-10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40P80G
  • PDF NCEP40P80G.pdf
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NCE6020AI

NCE6020AI-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6020AI
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  45W 沟道 N导通电阻 35mΩ@10V,20A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6020AI
  • PDF NCE6020AI.pdf
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NCE2312

NCE2312-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2312
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 4.5A 功率(Pd)  1.25W 沟道 N 导通电阻 33mΩ@4.5V,4.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2312
  • PDF NCE2312.pdf
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2N7002K

2N7002K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002K
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 1.9V@250uA 电流 300mA 功率(Pd)  350mW 沟道 N导通电阻 3Ω@5V,400mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 2N7002K
  • PDF 2N7002K.pdf
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NCEP1545K

NCEP1545K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP1545K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 - 电流 45A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 24mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP1545K
  • PDF NCEP1545K.pdf
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NCE65T260F

NCE65T260F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T260F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N 导通电阻 260mΩ@10V,8A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T260F
  • PDF NCE65T260F.pdf
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NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30D2519K
  • 封装规格TO-252-4
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2V@250uA 电流 N,25A-P.-19A 功率(Pd)  21W 沟道 1个N和1个P 导通电阻 8.5mΩ@10V,7A 封装 TO-252-4 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
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NCEP02580D

NCEP02580D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02580D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 250V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  300W 沟道 N 导通电阻 16mΩ@10V,40A 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02580D
  • PDF NCEP02580D.pdf
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