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> NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE2301-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE2301
封装规格
SOT-23
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 20V 阈值电压 1V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻 110mΩ@4.5V,3A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2301
PDF
NCE2301.pdf
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NCE65T540K-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE65T540K
封装规格
TO-252-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd) 69W 沟道 N导通电阻 540mΩ@10V,4A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540K
PDF
NCE65T540K.pdf
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NCE3415-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE3415
封装规格
SOT-23
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 20V 阈值电压 900mV@250uA 电流 4A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻 45mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3415
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NCE3415.pdf
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NCE65TF099-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE65TF099
封装规格
TO-220
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 38A 功率(Pd) 322W 沟道 N导通电阻 89mΩ@10V,19A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF099
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NCE65TF099.pdf
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NCE15P25JK-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE15P25JK
封装规格
TO-252-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 150V 阈值电压 - 电流 25A 功率(Pd) 160W 沟道 P 导通电阻 150mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE15P25JK
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NCE15P25JK.pdf
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NCE20P45Q-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE20P45Q
封装规格
DFN-8(3.3x3.3)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 19V 阈值电压 1V@250uA 电流 45A 功率(Pd) 80W 沟道 P导通电阻 7mΩ@4.5V,20A 封装 DFN-8(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE20P45Q
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NCE20P45Q.pdf
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NCE80H12-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE80H12
封装规格
TO-220
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 80V 阈值电压 4V@250uA 电流 120A 功率(Pd) 220W 沟道 N导通电阻 6mΩ@10V,40A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE80H12
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NCE80H12.pdf
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NCE3416-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE3416
封装规格
SOT-23
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 20V 阈值电压 1V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N 导通电阻 27mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3416
PDF
NCE3416.pdf
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NCE3007S-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE3007S
封装规格
SOIC-8
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 3.1W 沟道 P导通电阻 42mΩ@10V,6.5A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3007S
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NCE3007S.pdf
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NCE55P30K-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE55P30K
封装规格
TO-252-2(DPAK)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 55V 阈值电压 4V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 65W 沟道 P导通电阻 40mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P30K
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NCE55P30K.pdf
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NCE3095K-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE3095K
封装规格
TO-252-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 30V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 95A 功率(Pd) 95W 沟道 N导通电阻 4.1mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3095K
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NCE3095K.pdf
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NCEP035N85GU-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCEP035N85GU
封装规格
DFN-8(5.8x4.9)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 85V 阈值电压 - 电流 135A 功率(Pd) 160W 沟道 N 导通电阻 2.9mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(5.8x4.9) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP035N85GU
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NCEP035N85GU.pdf
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NCE3400AY-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE3400AY
封装规格
SOT-23-3L
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻 27mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3400AY
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NCE65TF180D-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE65TF180D
封装规格
TO-263-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 21A 功率(Pd) 188W 沟道 N导通电阻 160mΩ@10V,10.5A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF180D
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NCE65TF180D.pdf
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NCE40P20Q-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE40P20Q
封装规格
DFN-8L(3.3x3.3)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 -40V 阈值电压 - 电流 20A 功率(Pd) 30W 沟道 P 导通电阻 18mΩ @ VGS=-10V 封装 DFN-8L(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P20Q
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NCE40P20Q.pdf
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NCE65T360K-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE65T360K
封装规格
TO-252-2(DPAK)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd) 101W 沟道 N 导通电阻 360mΩ@10V,7A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T360K
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NCE65T360K.pdf
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NCE1540KA-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE1540KA
封装规格
TO-252-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 150V 阈值电压 1.05V@250uA 电流 40A 功率(Pd) 140W 沟道 N导通电阻 35mΩ@10V,18A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE1540KA
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NCEP25N10AK-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCEP25N10AK
封装规格
TO-252-2
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 100V 阈值电压 1.7V@250uA 电流 35A 功率(Pd) 105W 沟道 N 导通电阻 21mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP25N10AK
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NCEP25N10AK.pdf
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NCE30P25S-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE30P25S
封装规格
SOIC-8
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 25A 功率(Pd) 3.5W 沟道 P导通电阻 9mΩ@10V,15A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30P25S
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NCE30P25S.pdf
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NCE0140KA-NCE(无锡新洁能)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
NCE0140KA
封装规格
TO-252-2(DPAK)
品牌
NCE(无锡新洁能)
描述
耐压 100V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 40A 功率(Pd) 140W 沟道 N 导通电阻 17mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0140KA
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