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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE40P05Y

NCE40P05Y-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40P05Y
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 3V@250uA 电流 5.3A 功率(Pd)  2W 沟道 P导通电阻 85mΩ@10V,5A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P05Y
  • PDF NCE40P05Y.pdf
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NCE3401AY

NCE3401AY-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3401AY
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.3V@250uA 电流 4.4A 功率(Pd)  1.3W 沟道 P导通电阻 52mΩ@10V,4.2A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3401AY
  • PDF NCE3401AY.pdf
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NCE60P12K

NCE60P12K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P12K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 12A 功率(Pd)  60W 沟道 P 导通电阻 100mΩ@10V,12A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P12K
  • PDF NCE60P12K.pdf
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NCE0103M

NCE0103M-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0103M
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.5W 沟道 N 导通电阻 160mΩ@10V,3A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0103M
  • PDF NCE0103M.pdf
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NCE4435

NCE4435-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4435
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 9.1A 功率(Pd)  3.1W 沟道 P导通电阻 20mΩ@10V,9.1A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4435
  • PDF NCE4435.pdf
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NCE01P18K

NCE01P18K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01P18K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 18A 功率(Pd)  70W 沟道 P导通电阻 100mΩ@10V,16A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01P18K
  • PDF NCE01P18K.pdf
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NCE4060K

NCE4060K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4060K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 60A 功率(Pd)  65W 沟道 N导通电阻 13mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4060K
  • PDF NCE4060K.pdf
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NCEP40T11G

NCEP40T11G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40T11G
  • 封装规格DFN-8(5.7x5.1)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 110A 功率(Pd)  75W 沟道 N导通电阻 2.8mΩ@10V,55A 封装 DFN-8(5.7x5.1) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40T11G
  • PDF NCEP40T11G.pdf
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NCE6003Y

NCE6003Y-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6003Y
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N导通电阻 105mΩ@10V,3A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6003Y
  • PDF NCE6003Y.pdf
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NCE0106R

NCE0106R-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0106R
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 6A 功率(Pd)  3W 沟道 N导通电阻 140mΩ@10V,5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0106R
  • PDF NCE0106R.pdf
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NCE30P20Q

NCE30P20Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30P20Q
  • 封装规格PDFN3333-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  35W 沟道 P导通电阻 11.5mΩ@10V,15A 封装 PDFN3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30P20Q
  • PDF NCE30P20Q.pdf
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NCE0103Y

NCE0103Y-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0103Y
  • 封装规格SOT-23-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.5W 沟道 N导通电阻 160mΩ@10V,3A 封装 SOT-23-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0103Y
  • PDF NCE0103Y.pdf
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NCE60P10K

NCE60P10K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P10K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 10A 功率(Pd)  45W 沟道 P 导通电阻 106mΩ@10V,10A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P10K
  • PDF NCE60P10K.pdf
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NCE6050A

NCE6050A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6050A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 1.9V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  85W 沟道 N 导通电阻 14mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6050A
  • PDF NCE6050A.pdf
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NCE7560K

NCE7560K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE7560K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 75V 阈值电压 4V@250uA 电流 60A 功率(Pd)  140W 沟道 N导通电阻 8.5mΩ@10V,30A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE7560K
  • PDF NCE7560K.pdf
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NCE3050K

NCE3050K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3050K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  60W 沟道 N导通电阻 11mΩ@10V,25A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3050K
  • PDF NCE3050K.pdf
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NCE4009S

NCE4009S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4009S
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2V@250uA 电流 9A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 16mΩ@10V,8A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4009S
  • PDF NCE4009S.pdf
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NCEP60T12AK

NCEP60T12AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP60T12AK
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.4V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  180W 沟道 N导通电阻 4mΩ@10V,60A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP60T12AK
  • PDF NCEP60T12AK.pdf
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NCE60P04R

NCE60P04R-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P04R
  • 封装规格SOT-223-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd)  3.1W 沟道 P导通电阻 106mΩ@10V,4A 封装 SOT-223-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P04R
  • PDF NCE60P04R.pdf
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NCE40P13S

NCE40P13S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40P13S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 13A 功率(Pd)  2.5W 沟道 P导通电阻 15mΩ@10V,12A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P13S
  • PDF NCE40P13S.pdf
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