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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE6008AS

NCE6008AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6008AS
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  2.1W 沟道 N导通电阻 20mΩ@10V,8A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6008AS
  • PDF NCE6008AS.pdf
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NCE2003

NCE2003-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2003
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 N,3A-P,-3A 功率(Pd)  2.1W 沟道 N and P导通电阻 N,35mΩ @ VGS=4.5V -P, 75mΩ @ VGS=-4.5V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2003
  • PDF NCE2003.pdf
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NCE8295A

NCE8295A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8295A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 82V 阈值电压 4V@250uA 电流 95A 功率(Pd)  170W 沟道 N导通电阻 8mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8295A
  • PDF NCE8295A.pdf
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NCEP40T14G

NCEP40T14G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40T14G
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 140A 功率(Pd)  133W 沟道 N导通电阻 1.6mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40T14G
  • PDF NCEP40T14G.pdf
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NCEP035N60AG

NCEP035N60AG-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP035N60AG
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd)  85W 沟道 N导通电阻 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP035N60AG
  • PDF NCEP035N60AG.pdf
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NCEP6090K

NCEP6090K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP6090K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  100W 沟道 N 导通电阻 6.4mΩ@10V,45A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP6090K
  • PDF NCEP6090K.pdf
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NCE65T180F

NCE65T180F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T180F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 21A 功率(Pd)  33.8W 沟道 N导通电阻 180mΩ@10V,10.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T180F
  • PDF NCE65T180F.pdf
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NCE2303

NCE2303-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2303
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 2A 功率(Pd)  1W 沟道 P 导通电阻 130mΩ@10V,2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2303
  • PDF NCE2303.pdf
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NCEP033N10D

NCEP033N10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP033N10D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 160A 功率(Pd)  245W 沟道 N 导通电阻 2.7mΩ@10V,80A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP033N10D
  • PDF NCEP033N10D.pdf
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NCE0125AK

NCE0125AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0125AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  70W 沟道 N导通电阻 28mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0125AK
  • PDF NCE0125AK.pdf
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NCEP020N10LL

NCEP020N10LL-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP020N10LL
  • 封装规格TOLL
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 330A 功率(Pd)  400W 沟道 N 导通电阻 1.5mΩ , typical @ VGS=10V 封装 TOLL 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP020N10LL
  • PDF NCEP020N10LL.pdf
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NCE65TF099T

NCE65TF099T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF099T
  • 封装规格TO-247
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 - 电流 38A 功率(Pd)  322W 沟道 N导通电阻 89mΩ 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF099T
  • PDF NCE65TF099T.pdf
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NCEP6090AGU

NCEP6090AGU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP6090AGU
  • 封装规格PDFN-8(5.2x6.2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 90A 功率(Pd)  100W 沟道 N导通电阻 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 PDFN-8(5.2x6.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP6090AGU
  • PDF NCEP6090AGU.pdf
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NCEP4065QU

NCEP4065QU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP4065QU
  • 封装规格DFN-8(3.1x3.2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 65A 功率(Pd)  55W 沟道 N导通电阻 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(3.1x3.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP4065QU
  • PDF NCEP4065QU.pdf
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NCE60H10

NCE60H10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60H10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.85V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  170W 沟道 N导通电阻 4.8mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60H10
  • PDF NCE60H10.pdf
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NCE60P50

NCE60P50-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P50
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  95W 沟道 P导通电阻 28mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P50
  • PDF NCE60P50.pdf
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NCEP02T10D

NCEP02T10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02T10D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  300W 沟道 N导通电阻 10mΩ@10V,50A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02T10D
  • PDF NCEP02T10D.pdf
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NCE6990K

NCE6990K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6990K
  • 封装规格TO-252
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 69V 阈值电压 - 电流 90A 功率(Pd)  160W 沟道 N导通电阻 7.0mΩ @ VGS=10V (Typ:5.7mΩ) 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6990K
  • PDF NCE6990K.pdf
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NCE30H15K

NCE30H15K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H15K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  130W 沟道 N导通电阻 4mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H15K
  • PDF NCE30H15K.pdf
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NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T1K2K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  41W 沟道 N 导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T1K2K
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