关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
首页 > 品牌 > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP4045GU

NCEP4045GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP4045GU
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 45A 功率(Pd)  28W 沟道 N导通电阻 6mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP4045GU
  • PDF NCEP4045GU.pdf
NCE65T260K

NCE65T260K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T260K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  131W 沟道 N导通电阻 260mΩ@10V,8A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T260K
  • PDF NCE65T260K.pdf
NCE0110K

NCE0110K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0110K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 9.6A 功率(Pd)  30W 沟道 N导通电阻 140mΩ@10V,6A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0110K
  • PDF NCE0110K.pdf
NCEP60T15G

NCEP60T15G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP60T15G
  • 封装规格DFN-8(5.7x5.1)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  200W 沟道 N 导通电阻 3.1mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(5.7x5.1) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP60T15G
  • PDF NCEP60T15G.pdf
NCE2302

NCE2302-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2302
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  1W 沟道 N导通电阻 59mΩ@2.5V,2.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2302
  • PDF NCE2302.pdf
NCE40P07S

NCE40P07S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40P07S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd)  2.5W 沟道 P导通电阻 25mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P07S
  • PDF NCE40P07S.pdf
NCE60H10K

NCE60H10K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60H10K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.85V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  170W 沟道 N导通电阻 4.8mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60H10K
  • PDF NCE60H10K.pdf
NCE40H12K

NCE40H12K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H12K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  120W 沟道 N 导通电阻 4mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H12K
  • PDF NCE40H12K.pdf
NCE3010S

NCE3010S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3010S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 10A 功率(Pd)  2.5W 沟道 N 导通电阻 12mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3010S
  • PDF NCE3010S.pdf
NCE3407

NCE3407-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3407
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 4.1A 功率(Pd)  1.4W 沟道 P导通电阻 65mΩ@10V,4.1A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3407
  • PDF NCE3407.pdf
NCE6075K

NCE6075K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6075K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 75A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 11.5mΩ@10V,30A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6075K
  • PDF NCE6075K.pdf
NCE0224K

NCE0224K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0224K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 4V@250uA 电流 24A 功率(Pd)  150W 沟道 N导通电阻 80mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0224K
  • PDF NCE0224K.pdf
NCE4953

NCE4953-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4953
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  2.5W 沟道 2个P导通电阻 55mΩ@10V,5.1A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4953
  • PDF NCE4953.pdf
NCE01P03S

NCE01P03S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01P03S
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 1.9V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  2.5W 沟道 2个P导通电阻 170mΩ@10V,3A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01P03S
  • PDF NCE01P03S.pdf
NCE60P82AK

NCE60P82AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P82AK
  • 封装规格TO-252-2L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 82A 功率(Pd)  150W 沟道 P导通电阻 13mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-252-2L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P82AK
  • PDF NCE60P82AK.pdf
NCEP30T13GU

NCEP30T13GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP30T13GU
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.7)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.7V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  80W 沟道 N导通电阻 1.7mΩ@10V,65A 封装 DFN-8(4.9x5.7) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP30T13GU
  • PDF NCEP30T13GU.pdf
NCE0115K

NCE0115K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0115K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  50W 沟道 N 导通电阻 90mΩ@10V,10A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0115K
  • PDF NCE0115K.pdf
NCEP01ND35AG

NCEP01ND35AG-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP01ND35AG
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2V@250uA 电流 35A 功率(Pd)  50W 沟道 2个N导通电阻 18mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP01ND35AG
  • PDF NCEP01ND35AG.pdf
NCE4080K

NCE4080K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4080K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  80W 沟道 N导通电阻 7mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4080K
  • PDF NCE4080K.pdf
NCEP40T13GU

NCEP40T13GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40T13GU
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  80W 沟道 N导通电阻 2.3mΩ@10V,65A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40T13GU
  • PDF NCEP40T13GU.pdf
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有