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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE70T900I

NCE70T900I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T900I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  46W 沟道 N 导通电阻 820mΩ@10V,2.5A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T900I
  • PDF NCE70T900I.pdf
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NCE4080D

NCE4080D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4080D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 80A 功率(Pd)  90W 沟道 N 导通电阻 6.5mΩ @ VGS=10V 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4080D
  • PDF NCE4080D.pdf
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NCE70T360K

NCE70T360K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T360K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 11.5 A 功率(Pd)  101W 沟道 N 导通电阻 330 mΩ 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T360K
  • PDF NCE70T360K.pdf
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NCEP028N85

NCEP028N85-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP028N85
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 200A 功率(Pd)  245W 沟道 N导通电阻 2.55mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP028N85
  • PDF NCEP028N85.pdf
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NCE40H12I

NCE40H12I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H12I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  120W 沟道 N导通电阻 3.6mΩ@10V,20A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H12I
  • PDF NCE40H12I.pdf
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NCEP020N30GU

NCEP020N30GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP020N30GU
  • 封装规格DFN-8(5.8x4.9)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  70W 沟道 N导通电阻 1.75mΩ@10V,50A 封装 DFN-8(5.8x4.9) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP020N30GU
  • PDF NCEP020N30GU.pdf
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NCE30H11BK

NCE30H11BK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H11BK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd)  115W 沟道 N导通电阻 2.6mΩ 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H11BK
  • PDF NCE30H11BK.pdf
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NCEP10N12

NCEP10N12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP10N12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 70A 功率(Pd)  120W 沟道 N导通电阻 8.5mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP10N12
  • PDF NCEP10N12.pdf
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NCEP1520BK

NCEP1520BK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP1520BK
  • 封装规格TO-252-2L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 - 电流 20A 功率(Pd)  68W 沟道 N导通电阻 52mΩ 封装 TO-252-2L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP1520BK
  • PDF NCEP1520BK.pdf
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NCE4080

NCE4080-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4080
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  90W 沟道 N导通电阻 6.5mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4080
  • PDF NCE4080.pdf
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NCE6602N

NCE6602N-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6602N
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd)  1.2W 沟道 N导通电阻 58mΩ @ VGS=10V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6602N
  • PDF NCE6602N.pdf
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NCE3065Q

NCE3065Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3065Q
  • 封装规格DFN-8L(3x3)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 65A 功率(Pd)  45W 沟道 N导通电阻 4.2mΩ (typical) @VGS=10V 封装 DFN-8L(3x3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3065Q
  • PDF NCE3065Q.pdf
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NCE3400

NCE3400-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3400
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd)  1.4W 沟道 N导通电阻 41mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3400
  • PDF NCE3400.pdf
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NCE01H13

NCE01H13-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01H13
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 4V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  285W 沟道 N导通电阻 6.8mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01H13
  • PDF NCE01H13.pdf
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NCE80H12D

NCE80H12D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE80H12D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 80V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 6mΩ @ VGS=10V 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE80H12D
  • PDF NCE80H12D.pdf
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NCE70T680K

NCE70T680K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T680K
  • 封装规格TO-252
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 7 A 功率(Pd)  60W 沟道 N导通电阻 680 mΩ 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T680K
  • PDF NCE70T680K.pdf
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NCE70T1K2I

NCE70T1K2I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T1K2I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  41W 沟道 N导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2I
  • PDF NCE70T1K2I.pdf
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NCEP060N10D

NCEP060N10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP060N10D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd)  140W 沟道 N导通电阻 5.4mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP060N10D
  • PDF NCEP060N10D.pdf
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NCEP055N10D

NCEP055N10D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP055N10D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd)  150W 沟道 N导通电阻 5.2mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP055N10D
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NCEP12N12

NCEP12N12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP12N12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 63A 功率(Pd)  100W 沟道 N导通电阻 11.5mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP12N12
  • PDF NCEP12N12.pdf
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