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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP026N10

NCEP026N10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP026N10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 200A 功率(Pd)  300W 沟道 N 导通电阻 2.4mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP026N10
  • PDF NCEP026N10.pdf
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NCE65TF180T

NCE65TF180T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF180T
  • 封装规格TO-247
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 21A 功率(Pd)  188W 沟道 N 导通电阻 160mΩ@10V,10.5A 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF180T
  • PDF NCE65TF180T.pdf
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NCE30D0808J

NCE30D0808J-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30D0808J
  • 封装规格DFN-6-EP(2x2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 7.7A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 25mΩ @ VGS=10V 封装 DFN-6-EP(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30D0808J
  • PDF NCE30D0808J.pdf
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NCEP85T14

NCEP85T14-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T14
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 4V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  200W 沟道 N 导通电阻 4.1mΩ@10V,70A 封装  TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T14
  • PDF NCEP85T14.pdf
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NCEP12T12D

NCEP12T12D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP12T12D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 129A 功率(Pd)  185W 沟道 N 导通电阻 5.3mΩ @ VGS=10V 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP12T12D
  • PDF NCEP12T12D.pdf
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NCEP01T11

NCEP01T11-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP01T11
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 108A 功率(Pd)  160W 沟道 N导通电阻 6.5mΩ@10V,50A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP01T11
  • PDF NCEP01T11.pdf
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NCE30H15

NCE30H15-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H15
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H15
  • PDF NCE30H15.pdf
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NCE30ND09S

NCE30ND09S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30ND09S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 9A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 12mΩ @ VGS=10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30ND09S
  • PDF NCE30ND09S.pdf
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NCEP015N30GU

NCEP015N30GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP015N30GU
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 170A 功率(Pd)  95W 沟道 N 导通电阻 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP015N30GU
  • PDF NCEP015N30GU.pdf
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NCE30H10AK

NCE30H10AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H10AK
  • 封装规格TO-252-2L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.2mΩ) 封装 TO-252-2L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H10AK
  • PDF NCE30H10AK.pdf
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NCEP02580

NCEP02580-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02580
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 250V 阈值电压 - 电流 80A 功率(Pd)  300W 沟道 N导通电阻 18.5mΩ @ VGS=10V 封装  TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02580
  • PDF NCEP02580.pdf
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NCE70T680F

NCE70T680F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T680F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 7A 功率(Pd)  31.4W 沟道 N导通电阻 680mΩ@10V,3.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T680F
  • PDF NCE70T680F.pdf
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NCE0117I

NCE0117I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0117I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 17A 功率(Pd)  55W 沟道 N导通电阻 56mΩ@10V,5A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0117I
  • PDF NCE0117I.pdf
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NCE0125AI

NCE0125AI-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0125AI
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 25A 功率(Pd)  70W 沟道 N导通电阻 36mΩ @ VGS=10V (Typ:31 mΩ) 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0125AI
  • PDF NCE0125AI.pdf
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NCE30H14K

NCE30H14K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H14K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  130W 沟道 N导通电阻 2.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H14K
  • PDF NCE30H14K.pdf
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NCEP85T15

NCEP85T15-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T15
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 3.2V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  210W 沟道 N 导通电阻 3.2mΩ@10V,75A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T15
  • PDF NCEP85T15.pdf
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NCE65T1K2I

NCE65T1K2I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T1K2I
  • 封装规格TO-251(IPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  41W 沟道 N 导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-251(IPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T1K2I
  • PDF NCE65T1K2I.pdf
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NCE20P10J

NCE20P10J-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE20P10J
  • 封装规格DFN2x2-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -20V 阈值电压 - 电流 -10A 功率(Pd)  3.5W 沟道 P导通电阻 32mΩ @ VGS=-2.5V 封装 DFN2x2-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE20P10J
  • PDF NCE20P10J.pdf
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NCE60P05N

NCE60P05N-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P05N
  • 封装规格SOT-23-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压 - 电流 -5A 功率(Pd)  3.1W 沟道 P 导通电阻 65mΩ @ VGS=-10V 封装 SOT-23-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P05N
  • PDF NCE60P05N.pdf
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NCE65T680F

NCE65T680F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T680F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 7A 功率(Pd)  31.4W 沟道 N 导通电阻 600mΩ@10V,3.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T680F
  • PDF NCE65T680F.pdf
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