关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
首页 > 品牌 > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP026N10T

NCEP026N10T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP026N10T
  • 封装规格TO-247
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 230A 功率(Pd)  300W 沟道 N 导通电阻 2.15mΩ , typical@ VGS=10V 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP026N10T
  • PDF NCEP026N10T.pdf
NCE70T540I

NCE70T540I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T540I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 - 电流 8 A 功率(Pd)  69W 沟道 N 导通电阻 540 mΩ 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T540I
  • PDF NCE70T540I.pdf
NCEP0218K

NCEP0218K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP0218K
  • 封装规格TO-252
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 - 电流 18A 功率(Pd)  140W 沟道 N导通电阻 145mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP0218K
  • PDF NCEP0218K.pdf
NCE30H10

NCE30H10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  110W 沟道 N 导通电阻 5.5mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H10
  • PDF NCE30H10.pdf
NCE8205

NCE8205-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8205
  • 封装规格SOT-23-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 - 电流 4A 功率(Pd)  1.2W 沟道 N导通电阻 37mΩ @ VGS=2.5V 封装 SOT-23-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8205
  • PDF NCE8205.pdf
NCEP85T11

NCEP85T11-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T11
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 110A 功率(Pd)  145W 沟道 N导通电阻 6mΩ@10V,55A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T11
  • PDF NCEP85T11.pdf
NCEP18N10AK

NCEP18N10AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP18N10AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 42A 功率(Pd)  72W 沟道 N 导通电阻 15.5mΩ (typical) @VGS=10V 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP18N10AK
  • PDF NCEP18N10AK.pdf
NCEP1545AK

NCEP1545AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP1545AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 3.1V@250uA 电流 45A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 24mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP1545AK
  • PDF NCEP1545AK.pdf
NCE60P04SN

NCE60P04SN-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P04SN
  • 封装规格SOT-23-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压 - 电流 -4A 功率(Pd)  1.5W 沟道 P 导通电阻 120mΩ @ VGS=-10V 封装 SOT-23-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P04SN
  • PDF NCE60P04SN.pdf
NCEP1520AK

NCEP1520AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP1520AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 - 电流 20A 功率(Pd)  68W 沟道 N 导通电阻 56mΩ (typical) @ VGS=10V 封装  TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP1520AK
  • PDF NCEP1520AK.pdf
NCE40H29D

NCE40H29D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H29D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 290A 功率(Pd)  310W 沟道 N导通电阻 2.4mΩ@10V,20A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H29D
  • PDF NCE40H29D.pdf
NCE60ND08S

NCE60ND08S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60ND08S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 8A 功率(Pd)  2.1W 沟道 N导通电阻 20mΩ @ VGS=10V (Typ:15.6mΩ) 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60ND08S
  • PDF NCE60ND08S.pdf
NCE40P05S

NCE40P05S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40P05S
  • 封装规格ESOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -40V 阈值电压 - 电流 -5.3A 功率(Pd)  2W 沟道 P 导通电阻 80mΩ @ VGS=-10V 封装 ESOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40P05S
  • PDF NCE40P05S.pdf
NCE2007N

NCE2007N-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2007N
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd)  1.5W 沟道 2个N导通电阻 22mΩ@4.5V,6A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2007N
  • PDF NCE2007N.pdf
NCE55P30

NCE55P30-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P30
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -55V 阈值电压 - 电流 -30A 功率(Pd)  90W 沟道 P导通电阻 40mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P30
  • PDF NCE55P30.pdf
NCEP035N72GU

NCEP035N72GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP035N72GU
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 72V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  90W 沟道 N 导通电阻 2.4mΩ , typical @VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP035N72GU
  • PDF NCEP035N72GU.pdf
NCE3013J

NCE3013J-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3013J
  • 封装规格DFN-6L(2x2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 13A 功率(Pd)  3W 沟道 N导通电阻 12mΩ @ VGS=10V 封装 DFN-6L(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3013J
  • PDF NCE3013J.pdf
NCE70T260EF

NCE70T260EF-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T260EF
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 15 A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N导通电阻 260 mΩ 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T260EF
  • PDF NCE70T260EF.pdf
NCE65T1K2F

NCE65T1K2F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T1K2F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  28.4W 沟道 N导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T1K2F
  • PDF NCE65T1K2F.pdf
NCEP050N12D

NCEP050N12D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP050N12D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 130A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 4.3mΩ , typical (TO-263)@VGS=10V 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP050N12D
  • PDF NCEP050N12D.pdf
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有