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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE0224AK

NCE0224AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0224AK
  • 封装规格TO-252
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 - 电流 24A 功率(Pd)  150W 沟道 N 导通电阻 80mΩ @ VGS=10V (Typ:62mΩ) 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0224AK
  • PDF NCE0224AK.pdf
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NCEP0114AS

NCEP0114AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP0114AS
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 14A 功率(Pd)  3.5W 沟道 N 导通电阻 11mΩ@10V,14A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP0114AS
  • PDF NCEP0114AS.pdf
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NCE60P20K

NCE60P20K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P20K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.8V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  60W 沟道 P 导通电阻 35mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P20K
  • PDF NCE60P20K.pdf
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NCE65T540D

NCE65T540D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T540D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  69W 沟道 N 导通电阻 460mΩ@10V,4A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540D
  • PDF NCE65T540D.pdf
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NCEP038N10GU

NCEP038N10GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP038N10GU
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 135A 功率(Pd)  170W 沟道 N 导通电阻 3.45mΩ (Typ.) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP038N10GU
  • PDF NCEP038N10GU.pdf
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NCE60P40F

NCE60P40F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60P40F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压 - 电流 -40A 功率(Pd)  37W 沟道 P 导通电阻 35mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60P40F
  • PDF NCE60P40F.pdf
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NCE30H11BG

NCE30H11BG-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H11BG
  • 封装规格FDFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd)  68W 沟道 N导通电阻 2.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 FDFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H11BG
  • PDF NCE30H11BG.pdf
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NCE65TF180F

NCE65TF180F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF180F
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 - 电流 21 A 功率(Pd)  33.8W 沟道 N 导通电阻 180 mΩ 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF180F
  • PDF NCE65TF180F.pdf
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NCE8205t

NCE8205t-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8205t
  • 封装规格SOT-23-6L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 700mV@250uA 电流 5A 功率(Pd)  1.25W 沟道 2个N 导通电阻 16.5mΩ@4.5V,5A 封装 SOT-23-6L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8205t
  • PDF NCE8205t.pdf
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NCE70T1K2R

NCE70T1K2R-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T1K2R
  • 封装规格SOT-223-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 4 A 功率(Pd)  5.2W 沟道 N 导通电阻 1100 mΩ 封装 SOT-223-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2R
  • PDF NCE70T1K2R.pdf
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NCE6003

NCE6003-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6003
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N 导通电阻 105mΩ@10V,3A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6003
  • PDF NCE6003.pdf
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NCE3025Q

NCE3025Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3025Q
  • 封装规格PDFN-8(3.1x3.2)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  25W 沟道 N 导通电阻 10mΩ@10V,10A 封装 PDFN-8(3.1x3.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
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NCE30H11K

NCE30H11K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H11K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 110A 功率(Pd)  120W 沟道 N 导通电阻 3.2mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H11K
  • PDF NCE30H11K.pdf
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NCEP050N85D

NCEP050N85D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP050N85D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  160W 沟道 N 导通电阻 4.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP050N85D
  • PDF NCEP050N85D.pdf
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NCE65TF360F

NCE65TF360F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF360F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd)  32.6W 沟道 N导通电阻 290mΩ@10V,7A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF360F
  • PDF NCE65TF360F.pdf
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NCEP01T18

NCEP01T18-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP01T18
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 180A 功率(Pd)  300W 沟道 N 导通电阻 3.0mΩ @ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP01T18
  • PDF NCEP01T18.pdf
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NCE01NP03S

NCE01NP03S-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01NP03S
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 3A 功率(Pd)  2W 沟道 N and P 导通电阻 N,130mΩ @ VGS=10V P,200mΩ @ VGS=-10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01NP03S
  • PDF NCE01NP03S.pdf
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NCEP0178A

NCEP0178A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP0178A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 78A 功率(Pd)  125W 沟道 N 导通电阻 8.5mΩ@10V,39A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP0178A
  • PDF NCEP0178A.pdf
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NCE3406N

NCE3406N-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3406N
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 6A 功率(Pd)  2W 沟道 N 导通电阻 50mΩ @ VGS=2.5V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3406N
  • PDF NCE3406N.pdf
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NCE3065K

NCE3065K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3065K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 65A 功率(Pd)  65W 沟道 N 导通电阻 5.7mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3065K
  • PDF NCE3065K.pdf
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