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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP85T12

NCEP85T12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 120A 功率(Pd)  160W 沟道 N 导通电阻 5.3mΩ @ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T12
  • PDF NCEP85T12.pdf
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NCE30NP1812Q

NCE30NP1812Q-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30NP1812Q
  • 封装规格DFN-8L(3.3x3.3)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 N,18A-P,-12A 功率(Pd)  15W 沟道 N and P导通电阻 N,24mΩ @ VGS=10V P,35mΩ @ VGS=-10V 封装 DFN-8L(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30NP1812Q
  • PDF NCE30NP1812Q.pdf
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NCE01H10

NCE01H10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE01H10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  200W 沟道 N导通电阻 13mΩ@10V,40A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE01H10
  • PDF NCE01H10.pdf
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NCE2010E

NCE2010E-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2010E
  • 封装规格TSSOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 900mV@250uA 电流 7A 功率(Pd)  1.5W 沟道 2个N导通电阻 18mΩ@4.5V,6.5A 封装 TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2010E
  • PDF NCE2010E.pdf
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NCE65T540I

NCE65T540I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T540I
  • 封装规格TO-251(IPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  69W 沟道 N导通电阻 540mΩ@10V,4A 封装 TO-251(IPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540I
  • PDF NCE65T540I.pdf
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NCE65T900I

NCE65T900I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T900I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650 V 阈值电压 - 电流 5 A 功率(Pd)  46W 沟道 N导通电阻 750 mΩ 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T900I
  • PDF NCE65T900I.pdf
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NCE6045XG

NCE6045XG-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6045XG
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 45A 功率(Pd)  60W 沟道 N导通电阻 7.4mΩ (typical) @VGS=10V 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6045XG
  • PDF NCE6045XG.pdf
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NCE1570

NCE1570-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE1570
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 150V 阈值电压 3V@250uA 电流 70A 功率(Pd)  310W 沟道 N导通电阻 14mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE1570
  • PDF NCE1570.pdf
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NCEP080N10

NCEP080N10-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP080N10
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 75A 功率(Pd)  120W 沟道 N 导通电阻 7.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP080N10
  • PDF NCEP080N10.pdf
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NCE6003M

NCE6003M-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6003M
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 1.3V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N 导通电阻 73mΩ@10V,3A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6003M
  • PDF NCE6003M.pdf
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NCE0157

NCE0157-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0157
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 57A 功率(Pd)  170W 沟道 N导通电阻 12mΩ@10V,28A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0157
  • PDF NCE0157.pdf
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NCEP02T10T

NCEP02T10T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02T10T
  • 封装规格TO-247-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd)  300W 沟道 N导通电阻 12mΩ @ VGS=10V 封装 TO-247-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02T10T
  • PDF NCEP02T10T.pdf
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NCE65T130F

NCE65T130F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T130F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650 V 阈值电压 - 电流 28 A 功率(Pd)  35W 沟道 N 导通电阻 110 mΩ 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T130F
  • PDF NCE65T130F.pdf
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NCE0130A

NCE0130A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0130A
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 30A 功率(Pd)  85W 沟道 N导通电阻 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0130A
  • PDF NCE0130A.pdf
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NCE0140AK2

NCE0140AK2-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0140AK2
  • 封装规格TO-252-2L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 40A 功率(Pd)  140W 沟道 N导通电阻 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ) 封装 TO-252-2L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0140AK2
  • PDF NCE0140AK2.pdf
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NCE6080AK

NCE6080AK-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6080AK
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 80A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 5.5mΩ (typical) @ VGS=10V 封装  TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6080AK
  • PDF NCE6080AK.pdf
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NCE3080IA

NCE3080IA-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3080IA
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  83W 沟道 N导通电阻 6.5mΩ@10V,30A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3080IA
  • PDF NCE3080IA.pdf
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NCE65T900F

NCE65T900F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T900F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  29W 沟道 N 导通电阻 750mΩ@10V,2.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T900F
  • PDF NCE65T900F.pdf
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NCE6075

NCE6075-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6075
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 75A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 11.5mΩ@10V,30A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6075
  • PDF NCE6075.pdf
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NCE55P30F

NCE55P30F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P30F
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -55V 阈值电压 - 电流 -55V 功率(Pd)  30W 沟道 P导通电阻 40mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P30F
  • PDF NCE55P30F.pdf
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