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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCE65T260D

NCE65T260D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T260D
  • 封装规格TO-263
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 - 电流 15A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N导通电阻 220 mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T260D
  • PDF NCE65T260D.pdf
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NCE4801

NCE4801-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4801
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  2W 沟道 2个P 导通电阻 40mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4801
  • PDF NCE4801.pdf
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NCE60H15A

NCE60H15A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60H15A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 3.1mΩ@10V,75A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60H15A
  • PDF NCE60H15A.pdf
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NCEP40T20A

NCEP40T20A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40T20A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 200A 功率(Pd)  270W 沟道 N导通电阻 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40T20A
  • PDF NCEP40T20A.pdf
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NCEP30T12G

NCEP30T12G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP30T12G
  • 封装规格DFN-8(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  75W 沟道 N 导通电阻 2.35mΩ@10V,60A 封装 DFN-8(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP30T12G
  • PDF NCEP30T12G.pdf
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NCE0224D

NCE0224D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0224D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 3V@250uA 电流 24A 功率(Pd)  150W 沟道 N 导通电阻 64mΩ@10V,15A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0224D
  • PDF NCE0224D.pdf
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NCEP3090GU

NCEP3090GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP3090GU
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.5V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  70W 沟道 N 导通电阻 2mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP3090GU
  • PDF NCEP3090GU.pdf
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NCE65T260

NCE65T260-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T260
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 - 电流 15A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N 导通电阻 220 mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T260
  • PDF NCE65T260.pdf
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NCE65T540F

NCE65T540F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T540F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  31.6W 沟道 N导通电阻 540mΩ@10V,4A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540F
  • PDF NCE65T540F.pdf
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NCE6080D

NCE6080D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6080D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.8V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 7mΩ@10V,20A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6080D
  • PDF NCE6080D.pdf
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NCEP025N60G

NCEP025N60G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP025N60G
  • 封装规格DFN-8L(5x6)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 - 电流 165A 功率(Pd)  145W 沟道 N 导通电阻 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP025N60G
  • PDF NCEP025N60G.pdf
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NCEP85T14D

NCEP85T14D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP85T14D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 3.1V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  200W 沟道 N导通电阻 3.3mΩ@10V,70A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP85T14D
  • PDF NCEP85T14D.pdf
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NCE65NF036T

NCE65NF036T-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65NF036T
  • 封装规格TO-247
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 710V 阈值电压 - 电流 70 A 功率(Pd)  488W 沟道 N导通电阻 30 mΩ 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65NF036T
  • PDF NCE65NF036T.pdf
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NCE65T540

NCE65T540-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T540
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  69W 沟道 N导通电阻 540mΩ@10V,4A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T540
  • PDF NCE65T540.pdf
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NCE6890K

NCE6890K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6890K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 68V 阈值电压 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 6.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6890K
  • PDF NCE6890K.pdf
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NCE60H15AD

NCE60H15AD-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60H15AD
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 3.1mΩ@10V,75A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60H15AD
  • PDF NCE60H15AD.pdf
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NCE3008XM

NCE3008XM-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3008XM
  • 封装规格SOT-89-3L
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 8A 功率(Pd)  3.5W 沟道 N导通电阻 55mΩ @ VGS=2.5V 封装 SOT-89-3L 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3008XM
  • PDF NCE3008XM.pdf
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NCE8290AC

NCE8290AC-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE8290AC
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 82V 阈值电压 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  130W 沟道 N导通电阻 9mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE8290AC
  • PDF NCE8290AC.pdf
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NCE6990D

NCE6990D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6990D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 69V 阈值电压 2.9V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  160W 沟道 N导通电阻 6.2mΩ@10V,30A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6990D
  • PDF NCE6990D.pdf
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NCE40H21

NCE40H21-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H21
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 210A 功率(Pd)  310W 沟道 N导通电阻 2.3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H21
  • PDF NCE40H21.pdf
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