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NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售.目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)\30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)\500V~900V超结功率MOSFET\600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定.
NCEP60T12A

NCEP60T12A-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP60T12A
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 2.4V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  180W 沟道 N导通电阻 4mΩ@10V,60A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP60T12A
  • PDF NCEP60T12A.pdf
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NCEP02525F

NCEP02525F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP02525F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 250V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  45W 沟道 N 导通电阻 60mΩ@10V,20A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP02525F
  • PDF NCEP02525F.pdf
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NCE70T1K2K

NCE70T1K2K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T1K2K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  41W 沟道 N导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2K
  • PDF NCE70T1K2K.pdf
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NCEP039N10M

NCEP039N10M-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP039N10M
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 135A 功率(Pd)  220W 沟道 N导通电阻 3.65mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP039N10M
  • PDF NCEP039N10M.pdf
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NCEP068N10G

NCEP068N10G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP068N10G
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 85A 功率(Pd)  105W 沟道 N导通电阻 6.1mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP068N10G
  • PDF NCEP068N10G.pdf
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NCE4606

NCE4606-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4606
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 6.5A；7A 功率(Pd)  2W 沟道 1个N和1个P导通电阻 20mΩ@10V,6A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4606
  • PDF NCE4606.pdf
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NCE65TF099F

NCE65TF099F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65TF099F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 38A 功率(Pd)  36W 沟道 N导通电阻 89mΩ@10V,19A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65TF099F
  • PDF NCE65TF099F.pdf
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NCE0240

NCE0240-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0240
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 200V 阈值电压 3.2V@250uA 电流 40A 功率(Pd)  220W 沟道 N 导通电阻 36.4mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0240
  • PDF NCE0240.pdf
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NCE2030K

NCE2030K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE2030K
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 30A 功率(Pd)  40W 沟道 N导通电阻 13mΩ@4.5V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE2030K
  • PDF NCE2030K.pdf
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NCE30H10G

NCE30H10G-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H10G
  • 封装规格PDFN-8(5.1x5.8)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd)  65W 沟道 N 导通电阻 1.9mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 PDFN-8(5.1x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H10G
  • PDF NCE30H10G.pdf
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NCE40H12

NCE40H12-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H12
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  130W 沟道 N 导通电阻 4mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H12
  • PDF NCE40H12.pdf
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NCE0157A2

NCE0157A2-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE0157A2
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 4V@250uA 电流 57A 功率(Pd)  160W 沟道 N导通电阻 17.5mΩ@10V,28A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0157A2
  • PDF NCE0157A2.pdf
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NCEP3045GU

NCEP3045GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP3045GU
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.7)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 - 电流 45A 功率(Pd)  28W 沟道 N导通电阻 5.8mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.7) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP3045GU
  • PDF NCEP3045GU.pdf
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NCEP40T35ALL

NCEP40T35ALL-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP40T35ALL
  • 封装规格TOLL
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 350A 功率(Pd)  500W 沟道 N 导通电阻 0.63mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TOLL 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP40T35ALL
  • PDF NCEP40T35ALL.pdf
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NCEP0116K

NCEP0116K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP0116K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 16A 功率(Pd)  55W 沟道 N导通电阻 78mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP0116K
  • PDF NCEP0116K.pdf
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NCEP058N85D

NCEP058N85D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP058N85D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 3V@250uA 电流 95A 功率(Pd)  125W 沟道 N导通电阻 5.2mΩ@10V,45A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP058N85D
  • PDF NCEP058N85D.pdf
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NCE30H29D

NCE30H29D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE30H29D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 290A 功率(Pd)  270W 沟道 N 导通电阻 1.8mΩ@10V,160A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE30H29D
  • PDF NCE30H29D.pdf
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NCE65T360

NCE65T360-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T360
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 11.5A 功率(Pd)  101W 沟道 N导通电阻 360mΩ@10V,7A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T360
  • PDF NCE65T360.pdf
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NCE60ND09AS

NCE60ND09AS-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE60ND09AS
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 9A 功率(Pd)  2.6W 沟道 N导通电阻 10mΩ@10V,9A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE60ND09AS
  • PDF NCE60ND09AS.pdf
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NCE4963

NCE4963-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4963
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 20V 阈值电压 800mV@250uA 电流 7A 功率(Pd)  3W 沟道 2个P导通电阻 21mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4963
  • PDF NCE4963.pdf
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