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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP7A17GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 70V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.6A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP7A17GTA 系列 ZXMP7A17GTA
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
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DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1019UVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 800mV@250uA 电流 10.7A 功率(Pd) 1.73W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@4.5V,9.7A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1019UVT-7 系列 DMN1019UVT
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
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ZVN2106A

ZVN2106A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN2106A
  • 封装规格TO-92
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 450mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,1A 封装 TO-92 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN2106A 系列 ZVN2106A
  • PDF ZVN2106A.pdf
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DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN32D2LFB4-7
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.2Ω@4V,100mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN32D2LFB4-7 系列 DMN32D2LFB4
  • PDF DMN32D2LFB4-7.pdf
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DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG7401SFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 9.8A 功率(Pd) 940mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@20V,12A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG7401SFG-7 系列 DMG7401SFG
  • PDF DMG7401SFG-7.pdf
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DMN2041L-7

DMN2041L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2041L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 6.4A 功率(Pd) 780mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2041L-7 系列 DMN2041L
  • PDF DMN2041L-7.pdf
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ZVP4525ZTA

ZVP4525ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP4525ZTA
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 205mA 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-89 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP4525ZTA 系列 ZVP4525ZTA
  • PDF ZVP4525ZTA.pdf
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DMG1016V-7

DMG1016V-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1016V-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 870mA；640mA 功率(Pd) 530mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1016V-7 系列 DMG1016V
  • PDF DMG1016V-7.pdf
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DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2305UXQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2305UXQ-7 系列 DMG2305UXQ
  • PDF DMG2305UXQ-7.pdf
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DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2066LSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@4.5V,4.6A 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2066LSN-7 系列 DMP2066LSN
  • PDF DMP2066LSN-7.pdf
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DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMNH6042SSDQ-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 16.7A 功率(Pd) 2.1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,5.1A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMNH6042SSDQ-13 系列 DMNH6042SSDQ
  • PDF DMNH6042SSDQ-13.pdf
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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601DWK-7
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 305mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-363-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601DWK-7 系列 DMN601DWK
  • PDF DMN601DWK-7.pdf
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DMG301NU-7

DMG301NU-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG301NU-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 25V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@4.5V,400mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG301NU-7 系列 DMG301NU
  • PDF DMG301NU-7.pdf
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DMG3406L-13

DMG3406L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3406L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 770mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3406L-13 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-13.pdf
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ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A07ZTA
  • 封装规格SOT-89
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.9A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-89 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A07ZTA 系列 ZXMN6A07ZTA
  • PDF ZXMN6A07ZTA.pdf
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DMPH6250SQ-7

DMPH6250SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6250SQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 920mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 155mΩ@2A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6250SQ-7 系列 DMPH6250SQ
  • PDF DMPH6250SQ-7.pdf
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DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3016LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA 电流 12.4A 功率(Pd) 1.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3016LK3-13 系列 DMN3016LK3
  • PDF DMN3016LK3-13.pdf
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DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LFGQ-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LFGQ-7 系列 DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-7.pdf
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DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6110SSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.5A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@10V,4.5A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6110SSS-13 系列 DMP6110SSS
  • PDF DMP6110SSS-13.pdf
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DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4025SFG-13
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 4.65A 功率(Pd) 810mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4025SFG-13 系列 DMP4025SFG
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