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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 7.6A 功率(Pd) 1.9W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 19.5mΩ@10V,10A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LSD-13 系列 DMTH6016LSD
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
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DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3404L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 780mW 沟道 N 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3404L-7 系列 DMG3404L
  • PDF DMG3404L-7.pdf
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DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3018SFV-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 11A；35A 功率(Pd) 11A；35A 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@11.5A,10V 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3018SFV-7 系列 DMP3018SFV
  • PDF DMP3018SFV-7.pdf
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ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A17GQTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A17GQTA 系列 ZXMP6A17GQTA
  • PDF ZXMP6A17GQTA.pdf
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DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT4011LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 15.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT4011LFG-7 系列 DMT4011LFG
  • PDF DMT4011LFG-7.pdf
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DMP3160L-7

DMP3160L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3160L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 122mΩ@10V,2.7A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3160L-7 系列 DMP3160L
  • PDF DMP3160L-7.pdf
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DMP3099L-13

DMP3099L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3099L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3099L-13 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-13.pdf
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DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1005UFDF-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 26A 功率(Pd) 2.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,5A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1005UFDF-7 系列 DMP1005UFDF
  • PDF DMP1005UFDF-7.pdf
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ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61N02FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 700mV@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,930mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61N02FTA 系列 ZXM61N02FTA
  • PDF ZXM61N02FTA.pdf
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DMP3036SSD-13

DMP3036SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3036SSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3036SSD-13 系列 DMP3036SSD
  • PDF DMP3036SSD-13.pdf
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DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H220LQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@1.6A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H220LQ-7 系列 DMN10H220LQ
  • PDF DMN10H220LQ-7.pdf
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2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002Q-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 210mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002Q-7-F 系列 2N7002Q
  • PDF 2N7002Q-7-F.pdf
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ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP4A16GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 6.4A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP4A16GTA 系列 ZXMP4A16GTA
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
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ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4206GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 1A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4206GTA 系列 ZVN4206GTA
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
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DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004TK-7
  • 封装规格SOT-523
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 430mA 功率(Pd) 150mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.1Ω@4.5V,430mA 封装 SOT-523 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004TK-7 系列 DMP2004TK
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
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BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84WQ-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 200mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84WQ-7-F 系列 BSS84WQ
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
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DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LQ-7 系列 DMN53D0LQ
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
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DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 340mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0UW-7 系列 DMN62D0UW
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
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DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN67D7L-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 210mA 功率(Pd) 570mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN67D7L-7 系列 DMN67D7L
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
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DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6140LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,1.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6140LQ-7 系列 DMN6140LQ
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