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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
2N80L-TN3-R

2N80L-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N80L-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) resistencia de conducción n del Canal 24w (rds (on) @ vgs, id) 6.3 Omega @ 10v, 1.2a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 2n80l - tn3 - R serie 2n80l
  • PDF 2N80L-TN3-R.pdf
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2N80L-TF1-T

2N80L-TF1-T-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N80L-TF1-T
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 24w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 2.4a (pd) 6.3 Omega @ 10v, encapsulada en 1.2a marca de tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) UTC (youshun) 2n80l - tf1 - T serie 2n80l
  • PDF 2N80L-TF1-T.pdf
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05N30G-AE3-R

05N30G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo05N30G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 300v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 0,5a Potencia (pd) 0,6w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 5,0 @ vgs = 10v, id = 025A encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 05n30g - ae3 - R serie 05n30g
  • PDF 05N30G-AE3-R.pdf
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3N100G-TN3-R

3N100G-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo3N100G-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónResistencia a la presión 1000v tensión umbral (vgs (th) @ id) - corriente 3a Potencia (pd) 50w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 5,5 @ vgs = 10v, id = 1,5a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 3n100g - tn3 - R serie 3n100g
  • PDF 3N100G-TN3-R.pdf
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UT2301G-AE2-R

UT2301G-AE2-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT2301G-AE2-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) resistencia a la conducción P del canal de 1.14w (rds (on) @ vgs, id) 130momega @ 4.5v, 2.8a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca UTC (youshun) ut2301g - ae2 - R serie ut2301g
  • PDF UT2301G-AE2-R.pdf
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UT2301G-AE3-R

UT2301G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT2301G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.8a Potencia (pd) resistencia a la conducción P del canal de 1.14w (rds (on) @ vgs, id) 130momega @ 4.5v, 2.8a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca UTC (youshun) ut2301g - ae3 - R serie ut2301g
  • PDF UT2301G-AE3-R.pdf
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UT3401G-AE3-R

UT3401G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT3401G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Resistencia a la conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 50mwh @ 10v, 4.2a encapsulando la marca de tubos de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) UTC (youshun) ut3401g - ae3 - R serie ut3401g
  • PDF UT3401G-AE3-R.pdf
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UT3401ZG-AE3-R

UT3401ZG-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT3401ZG-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 50mwh @ 10v, 4.2a encapsulando la marca de tubos de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) UTC (youshun) ut3401zg - ae3 - R serie ut3401g
  • PDF UT3401ZG-AE3-R.pdf
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4N65L-ML-TF3-T

4N65L-ML-TF3-T-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo4N65L-ML-TF3-T
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 32W de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2,6 @ vgs = 10v, id = 2,0a encapsulada en la marca de tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) UTC (youshun) 4n65l - ML - tf3 - T serie 4n65l
  • PDF 4N65L-ML-TF3-T.pdf
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4N65L-Q-TM3-T

4N65L-Q-TM3-T-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo4N65L-Q-TM3-T
  • PaqueteTO-251
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 50w de corriente 4a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2,5 Omega @ 10v, encapsulada en 2,2a con tubo de efecto de campo to - 251 (mosfet) marca UTC (youshun) 4n65l - Q - tm3 - T serie 4n65l
  • PDF 4N65L-Q-TM3-T.pdf
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