DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 14a Potencia (pd) 52w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 0,65 Omega @ vgs = 10v, id = 7,0a encapsulado to - 220f Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 14n65l - ML - tf3 - T serie 14n65l
DescripciónTensión umbral de 500V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 107w (rds (on) @ vgs, id) 870mohm @ 10v, encapsulamiento to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) uf840kg - tn3 - R serie uf840kg
DescripciónResistencia a la tensión 650v tensión umbral (vgs (th) @ id) corriente 2a Potencia (pd) 45w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) ≤ 5,5 @ vgs = 10v, id = 1,0a encapsulado to - 251 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 2n65l - tm3 - T serie 2n65l
DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 7.3a Potencia (pd) 2.5w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 10v, 7a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut9564g - so8 - R serie ut9564g
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@25uA Resistencia de conducción n del canal de 60W de potencia 20a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 31mwh @ 4,5v, 15a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) ut20n03l - tn3 - R serie ut20n03l
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 59w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 8a (pd) 1,45 Omega @ 10v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) marca UTC (youshun) 8n80l - tf1 - T serie 8n80l
DescripciónVoltaje umbral de 400V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 125 W de corriente 10a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 550 MWH @ 10v, encapsulada en 5.2a marca de tubo de efecto de campo to - 220 (mosfet) UTC (youshun) uf740l - ta3 - T serie uf740l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2,5 @ vgs = 10 v, id = 2,2a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n65kg - tn3 - R serie 4n65kg
DescripciónVoltaje umbral de 700v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 36w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.4a (pd) 3.2omega @ 10v, encapsulada en 2.2a con tubo de efecto de campo to - 220f - 3 (mosfet) marca UTC (youshun) 4n70kl - MT - tf1 - serie 4n70kl
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal 8w (rds (on) @ vgs, id) 12,5 Omega @ 10v, 600ma encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 1n65g - aa3 - R serie 1n65g