DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 150w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 18a @ 10v, 18a encapsulada to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) utt18p10l - tn3 - R serie utt18p10
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 50w de corriente 4a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, embalaje 2a to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n80l - tn3 - R serie 4n80l
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 50w de corriente 4a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, embalaje 2A de la marca de tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) UTC (youshun) 4n80l - FC Series 4n80l
DescripciónTensión umbral de 800v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 50w de corriente 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, embalaje 2a to - 251 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) 4n80l - tm3 - T serie 4n80l
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 9.4a Potencia (pd) 50w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 290mohm @ 10v, 4.7a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 12p10l - tn3 - R serie 12p10l
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@1mA Corriente 1.7a Potencia (pd) Canal 1w resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 180mwh @ 10v, 1.5a encapsulado Sot - 223 efectores de campo (mosfet) marca UTC (youshun) ut2955g - aa3 - R serie ut2955
DescripciónTensión umbral de 150 V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 600mw (rds (on) @ vgs, id) 3,1omega @ 10v, 500ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) uf07p15g - ae3 - R serie uf07p15
DescripciónTensión umbral de 500V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 41w de corriente 2a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 8,5 Omega @ 10v, 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 2p50g - tn3 - R serie 2p50g
DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 83w (rds (on) @ vgs, id) 180mwh @ 10v, 10a encapsulada to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) uf640l - tn3 - R serie uf640l
DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 123w (rds (on) @ vgs, id) 180mwh @ 10v, 10a encapsulada to - 220 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) uf640l - ta3 - T serie uf640l